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简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。
题目
简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。
相似考题
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第1题：
简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。
在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。 -
第2题：
雪崩光电二极管APD是通过碰撞电离获得内部增益，使得光电流实现雪崩倍增的高灵敏度光检测器。
正确 -
第3题：
雪崩光电二极管的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加（)电压（一般为几十伏或几百伏）在结区形成一个强电场.
高反向偏压 -
第4题：
雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压（100~200V）时，在结区产生一个很强的电场，使进入场区的光生载流子获得足够的能量，在与原子碰撞时可使原子电离，而产生新的电子—空穴对。只要电场足够强，此过程就将继续下去，使PN结内电流急剧增加，达到载流子的雪崩倍增，这种现象称为雪崩倍增效应。 -
第5题：
外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管
错误