焦饼中心温度一般控制在（）。

第1题：

焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。

第2题：

焦饼温度一般控制在1000±50℃。

第3题：

一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。

第4题：

焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。

第5题：

焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据，同时又是确定机焦侧温度差的依据。

第6题：

用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。

• A、300
• B、600
• C、800

第7题：

（）温度确定的依据是焦饼中心温度。

第8题：

焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。

第9题：

焦饼中心温度上下温差不超过150℃。

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。

第14题：

焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。

第15题：

测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？

第16题：

焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。

• A、800±50℃
• B、900±50℃
• C、1000±50℃
• D、1100±50℃

第17题：

焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。

第18题：

焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据，同时又是确定机，焦侧温度差的依据。

第19题：

焦饼中心温度为900±50℃。

第20题：

改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。

第21题：

第22题：

第23题：