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晶体管是（）的简称。A、二极管B、三极管C、晶体闸流管D、整流管

题目

晶体管是（）的简称。

  • A、二极管
  • B、三极管
  • C、晶体闸流管
  • D、整流管
相似考题

1.绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

2.对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态 B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区 C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示 D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

3.晶体管电路图如下，已知各晶体管的β=50，那么晶体管处于放大工作状态的电路是（　　）。

4.绝缘栅双极型晶体管简称( )。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO

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  • 第1题：

    PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。

    • A、改变晶体管开关的频率
    • B、改变晶体管导通的时间
    • C、改变晶体管的电阻大小
    • D、改变晶体管的放大倍数

    正确答案:B

  • 第2题：

    场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件


    正确答案:正确

  • 第3题：

    晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）

    • A、晶体管的相对导通时间
    • B、晶体管的导通时间
    • C、晶体管的截止时间
    • D、晶体管的相对截止时间

    正确答案:A

  • 第4题：

    半导体热电阻式传感器简称（）。

    • A、热敏晶体管
    • B、热电偶传感器
    • C、热电阻
    • D、热敏电阻

    正确答案:D

  • 第5题：

    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第6题：

    逻辑门电路，简称门电路，是由计算机电路中组合在一起的上千个场效应晶体管组成的。场效应晶体管利用输入（）的形式来决定本门输出脉冲的形式。


    正确答案:电压

  • 第7题：

    绝缘双栅双极晶体管的简称是（）。

    • A、IGT
    • B、PLC
    • C、IBGT
    • D、IGBT

    正确答案:D

  • 第8题：

    填空题
    大功率晶体管简称（），通常指耗散功率（）以上的晶体管。

    正确答案： GTR,1W
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    晶体管按导电类型可分（）。
    A

    NPN型及PNP型晶体管

    B

    N型晶体管

    C

    P型晶体管

    D

    PNP晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    半导体热电阻式传感器简称（）
    A

    热敏晶体管

    B

    热电偶传感器

    C

    热电阻

    D

    热敏电阻


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）
    A

    结型场效应晶体管，简称JFET

    B

    绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET

    C

    结型场效应晶体管JGFET

    D

    绝缘栅型场效应晶体管JGFET


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    TTL门电路是晶体管-晶体管逻辑门电路的简称。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    单结晶体管是特殊晶体管。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。


    正确答案:电流；电压

  • 第16题：

    对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。

    • A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态
    • B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区
    • C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示
    • D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

    正确答案:C

  • 第17题：

    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第18题：

    晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）

    • A、与晶体管的相对导通时间成正比；
    • B、与晶体管的导通时间成正比；
    • C、与晶体管的截止时间成正比；
    • D、与晶体管的相对截止时间成正比。

    正确答案:A

  • 第19题：

    晶体管图示仪是测量晶体管的专用仪器，对晶体管的参数既可定性测量又可定量测量。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    单选题
    电力晶体管简称为（）。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    P－MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?

    正确答案： 在单阱工艺的MOS器件中（P阱为例），由于NMOS管源与衬底组成PN结，而PMOS管的源与衬底也构成一个PN结，两个PN结串联组成PNPN结构，即两个寄生三极管（NPN和PNP），一旦有因素使得寄生三极管有一个微弱导通，两者的正反馈使得电流积聚增加，产生自锁现象。
    影响：产生自锁后，如果电源能提供足够大的电流，则由于电流过大，电路将被烧毁。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    功率场效应晶体管简称为（）。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    P－MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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