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更多“晶体管是()的简称。”相关问题
  • 第1题:

    PWM型晶体管调压器的调压方法是()。

    • A、改变晶体管开关的频率
    • B、改变晶体管导通的时间
    • C、改变晶体管的电阻大小
    • D、改变晶体管的放大倍数

    正确答案:B

  • 第2题:

    场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管,但它的控制方式与晶体管不同,晶体管是利用输入电流去控制输出电流,是电流控制器件,而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流,是电压控制器件


    正确答案:正确

  • 第3题:

    晶体管调压器中,晶体管的导通比指的是:()

    • A、晶体管的相对导通时间
    • B、晶体管的导通时间
    • C、晶体管的截止时间
    • D、晶体管的相对截止时间

    正确答案:A

  • 第4题:

    半导体热电阻式传感器简称()。

    • A、热敏晶体管
    • B、热电偶传感器
    • C、热电阻
    • D、热敏电阻

    正确答案:D

  • 第5题:

    请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。


    正确答案:GTR;GTO;MOSFET;IGBT;MOSFET;GTR

  • 第6题:

    逻辑门电路,简称门电路,是由计算机电路中组合在一起的上千个场效应晶体管组成的。场效应晶体管利用输入()的形式来决定本门输出脉冲的形式。


    正确答案:电压

  • 第7题:

    绝缘双栅双极晶体管的简称是()。

    • A、IGT
    • B、PLC
    • C、IBGT
    • D、IGBT

    正确答案:D

  • 第8题:

    填空题
    大功率晶体管简称(),通常指耗散功率()以上的晶体管。

    正确答案: GTR,1W
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

    正确答案: GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    晶体管按导电类型可分()。
    A

    NPN型及PNP型晶体管

    B

    N型晶体管

    C

    P型晶体管

    D

    PNP晶体管


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    半导体热电阻式传感器简称()
    A

    热敏晶体管

    B

    热电偶传感器

    C

    热电阻

    D

    热敏电阻


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    场效应晶体管根据结构不同分为两大类,它们的类型和简称是()
    A

    结型场效应晶体管,简称JFET

    B

    绝缘栅型场效应晶体管,简称JFET

    C

    结型场效应晶体管JGFET

    D

    绝缘栅型场效应晶体管JGFET


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    TTL门电路是晶体管-晶体管逻辑门电路的简称。


    正确答案:正确

  • 第14题:

    单结晶体管是特殊晶体管。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。


    正确答案:电流;电压

  • 第16题:

    对于双极型晶体三极管(简称晶体管),如下不正确的描述是()。

    • A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态
    • B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区
    • C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示
    • D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

    正确答案:C

  • 第17题:

    请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。


    正确答案:GTR;GTO;MOSFET;IGBT;MOSFET;GTR

  • 第18题:

    晶体管调压器中,晶体管的占空比:()

    • A、与晶体管的相对导通时间成正比;
    • B、与晶体管的导通时间成正比;
    • C、与晶体管的截止时间成正比;
    • D、与晶体管的相对截止时间成正比。

    正确答案:A

  • 第19题:

    晶体管图示仪是测量晶体管的专用仪器,对晶体管的参数既可定性测量又可定量测量。


    正确答案:正确

  • 第20题:

    单选题
    电力晶体管简称为()。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    P-MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

    正确答案: GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?

    正确答案: 在单阱工艺的MOS器件中(P阱为例),由于NMOS管源与衬底组成PN结,而PMOS管的源与衬底也构成一个PN结,两个PN结串联组成PNPN结构,即两个寄生三极管(NPN和PNP),一旦有因素使得寄生三极管有一个微弱导通,两者的正反馈使得电流积聚增加,产生自锁现象。
    影响:产生自锁后,如果电源能提供足够大的电流,则由于电流过大,电路将被烧毁。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    功率场效应晶体管简称为()。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    P-MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案: B
    解析: 暂无解析