硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第1题:
为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少?
二极管的基本结构是PN结,给PN结加上正向电压,即将电源的正极接P区,负极接N区。由于外加电场方向与PN结的结电场方向相反,因此大大削弱了结电场,使两区中的多数载流子极易通过PN结,在电路中形成较大的电流,PN结处于导通状态。反之,给PN结加上反向电压,由于外加电场的方向与PN结的结电场方向相同,因而结电场被大大加强,使两区中的多数载流子更不容易通过PN结,而只利于少数载流子通过。由于少数载流子的数量很少,在电路中形成很小的反向漏电流,通常把它忽略不计,看作处于截止状态。
综上所述,PN结外加正向电压时导通,加反向电压时截止,所以PN结也就使二极管具有单向导电特性。
硅二极管的正向电压为0.7V,锗二极管的正向电压为0.3V。
略
第2题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第3题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第4题:
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第5题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第6题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第7题:
硅管的正向导通压降大于锗管。
第8题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第9题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第10题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第11题:
0.4V
0.5V
0.6V
0.7V
第12题:
对
错
第13题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第14题:
在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。
第15题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第16题:
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
第17题:
硅二极管的正向导通压降约为()
第18题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第19题:
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
第20题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第21题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第22题:
硅二极管反向导通电流一般()。
第23题: