使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污

第1题：

QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。

• A、0.2m
• B、0.5m
• C、1m
• D、1.5m

第2题：

使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。

第3题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）

• A、把电桥移到磁场以外去测量
• B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值
• C、提高试验电压
• D、在被试设备上加装屏蔽罩

第4题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）

• A、提高试验电压
• B、采用正接线方法
• C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
• D、在被试设备上加装屏蔽罩

第5题：

采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

第6题：

使用QS1交流电桥时，若光带有显示，但检流计调谐不能谐振，则故障原因可能是电桥专用引出线断线。

第7题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，当试验现场有运行的高压电气设备，尤其有漏磁通较大的电搞器、阻波器，测试将受到它们形成的磁场干扰，造成tanØ值增大或减小。

第8题：

QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）

• A、电场干扰
• B、温度影响
• C、被试设备局部绝缘缺陷的影响
• D、测量电压的影响

第9题：

测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？

第10题：

用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

第11题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。

第12题：

第13题：

采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。

第14题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。

第15题：

QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。

第16题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

第17题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。

• A、低
• B、高
• C、相等

第18题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。

第19题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。

第20题：

使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。

第21题：

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

第22题：

QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。

第23题：