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小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

题目

小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

相似考题

1.硅基二极管的正向导通电压一般为0.7V。()此题为判断题(对，错)。

2.三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

3.在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

4.硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()此题为判断题(对，错)。

更多“小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。”相关问题

  • 第1题：

    硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。


    参考答案：0.7;0.3

  • 第2题：

    二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

    • A、为零
    • B、硅管0.7V，锗管0.3V
    • C、等于电路电压
    • D、电压不变

    正确答案:B

  • 第3题：

    二极管导通时，正向压降为0.7V。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    硅管的正向压降为（）V。


    正确答案:0.7

  • 第5题：

    锗二极管的正向压降通常为（）。

    • A、0.3v左右
    • B、0.5v左右
    • C、0.6v左右
    • D、0.7v左右

    正确答案:A

  • 第6题：

    硅管的正向压降为0.7V。（）


    正确答案:正确

  • 第7题：

    理想二级管正向导通时，其压降为（）V；反向截止时，其中电流为（）A。这两种状态相当于一个（）。


    正确答案:0；0；开关

  • 第8题：

    晶体管的PN结的正向压降为（）。

    • A、锗管为0.3V左右
    • B、锗管为0.7V左右
    • C、硅管为0.3V左右
    • D、硅管为0.7V左右

    正确答案:A,D

  • 第9题：

    硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。

    • A、0.3V
    • B、0.2V
    • C、0.5V
    • D、0.7V

    正确答案:D

  • 第10题：

    单选题
    二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。
    A

    死区电压

    B

    击穿电压

    C

    截止电压

    D

    峰值电压


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
    A

    0.1～0.2V／0.3V

    B

    0.2～0.3V／0.7V

    C

    0.3～0.5V／0.7V

    D

    0.5V／0.7V


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    半波整流电路中，如果运算放大器开环增益为1×106，二极管正向压降为0.5V，则最小检波电压为（）。
    A

    0.5μV

    B

    0.5mV

    C

    0.5V

    D

    0.5kV


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:B

  • 第14题：

    已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω


    正确答案:14

  • 第15题：

    硅稳压管的稳定电压是指（）。

    • A、稳压管的反向截止电压
    • B、稳压管的反向击穿电压
    • C、稳压管的正向死区电压
    • D、稳压管的正向导通电压

    正确答案:B

  • 第16题：

    二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。


    正确答案:死区；导通；0.5V

  • 第17题：

    硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

    • A、0.5V
    • B、0.7V
    • C、0.4V
    • D、0.2V

    正确答案:D

  • 第18题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第19题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第20题：

    常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。

    • A、0.3V；
    • B、0.7V；
    • C、1V

    正确答案:B

  • 第21题：

    肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。


    正确答案:低

  • 第22题：

    填空题
    二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。

    正确答案： 死区,导通,0.5V
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    晶体管的PN结的正向压降为（）。
    A

    锗管为0.3V左右

    B

    锗管为0.7V左右

    C

    硅管为0.3V左右

    D

    硅管为0.7V左右


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

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