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  • 第1题:

    下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。

    • A、GTR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管
    • E、GOT(GTO)

    正确答案:A,D,E

  • 第2题:

    按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。

    • A、全控型器件
    • B、半控型器件
    • C、不控型器件
    • D、电压型器件

    正确答案:B

  • 第3题:

    下列全控型器件中开关速度最快的是()。

    • A、GTO
    • B、GTR
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:C

  • 第4题:

    下列电力电子器件属于全控型器件的是()。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、MOSFET
    • E、IGBT

    正确答案:B,C,D,E

  • 第5题:

    斩波电路中的核心斩波开关只能是全控型器件。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()

    • A、电力二极管
    • B、机械式开关
    • C、半控型器件
    • D、全控型器件

    正确答案:D

  • 第7题:

    在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。


    正确答案:错误

  • 第8题:

    电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。


    正确答案:电压;GTR;GTO;晶闸管

  • 第9题:

    下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、IGBT

    正确答案:A

  • 第10题:

    多选题
    普通晶闸管属于()。
    A

    全控型器件

    B

    半控型器件

    C

    不控型器件

    D

    电流型器件


    正确答案: B,C
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

    正确答案: 电压,GTR,GTO,晶闸管
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()
    A

    电力二极管

    B

    机械式开关

    C

    半控型器件

    D

    全控型器件


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。

    • A、GTR
    • B、GTO
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管

    正确答案:C

  • 第14题:

    普通晶闸管属于()。

    • A、全控型器件
    • B、半控型器件
    • C、不控型器件
    • D、电流型器件

    正确答案:B,C

  • 第15题:

    下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。

    • A、GTR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管

    正确答案:A,D

  • 第16题:

    常用的开关型驱动器件有哪些?


    正确答案:常用的开关型驱动器件有光电耦合器、继电器、晶闸管、功率MOS管、集成功率电子开关等。

  • 第17题:

    下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()

    • A、是电压驱动型器件
    • B、也称为绝缘栅极双极型晶体管
    • C、属于全控型器件
    • D、三个极为漏极、栅极和源极

    正确答案:B

  • 第18题:

    在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。


    正确答案:电力二极管;晶闸管;GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT;电力MOSFET;电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;IGBT;晶闸管;电力MOSFET;电力MOSFET、IGBT;晶闸管、GTO、GTR

  • 第19题:

    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。


    正确答案:SCR;GTO、GTR、MOSFET、IGBT;SCR、GTO、GTR

  • 第20题:

    IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。


    正确答案:正确

  • 第21题:

    判断题
    在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    下列全控型器件中开关速度最快的是()。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    填空题
    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

    正确答案: SCR,GTO、GTR、MOSFET、IGBT,SCR、GTO、GTR
    解析: 暂无解析