下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

第1题：

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大

第2题：

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关

第3题：

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

• A、它与试件上的磁通密度有关
• B、它与缺陷的高度有关
• C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
• D、以上都对

第4题：

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

第5题：

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

• A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
• B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
• C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
• D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化

第6题：

磁粉探伤时，缺陷处产生的漏磁通与通过工件（）有关，与缺陷的（）和（）有关。

第7题：

第8题：

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的

• A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关
• B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小
• C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
• D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
• E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
• F、c，d和e都对

第14题：

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时，缺陷漏磁通开始急剧增大

第15题：

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

• A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
• B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
• C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
• D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
• E、除A以外都对

第16题：

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。

• A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
• B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
• C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
• D、 以上都对

第17题：

磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关。

第18题：

在电磁学中，关于磁路的概念，下列正确说法是（）.

• A、磁力线所经过的路线
• B、主磁通形成闭合回路所经过的路径
• C、漏磁通形成闭合回路所经过的路径
• D、主磁通与漏磁通共同经过的路径

第19题：

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：