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横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。

题目

横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。

相似考题

1.横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A、K值增大时，近场区长度不变B、K值增大时，近场区长度增大C、K值增大时，近场区长度减小D、K值与近场区长度无关

2.同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。

3.探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。

4.探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是

参考答案和解析
正确答案:正确
更多“横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。”相关问题

  • 第1题：

    斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。


    正确答案:两种；缩短

  • 第2题：

    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 

    • A、 增大
    • B、 不变
    • C、 减小
    • D、 都有可能

    正确答案:C

  • 第3题：

    探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等


    正确答案:正确

  • 第4题：

    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。


    正确答案:缩短

  • 第5题：

    探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。


    正确答案:增大

  • 第6题：

    说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？


    正确答案: 超声场的指向角θ0和近场区长度N都是表示晶片辐射特性的重要参数，它们与晶片直径和波长（既频率）有关。当频率一定时，晶片尺寸大，指向角小，近场区长度大；反之则相反。在实际探伤中，应根据被测工件的具体情况合理选择频率和晶片尺寸。一般对薄工件选用频率低，晶片直径小的探头，可避免在近场区内探伤，对厚度大的工件选用频率高，晶片直径大的探头，有利于对远距离内较小缺陷的检测。

  • 第7题：

    探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    问答题
    说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？

    正确答案： 超声场的指向角θ0和近场区长度N都是表示晶片辐射特性的重要参数，它们与晶片直径和波长（既频率）有关。当频率一定时，晶片尺寸大，指向角小，近场区长度大；反之则相反。在实际探伤中，应根据被测工件的具体情况合理选择频率和晶片尺寸。一般对薄工件选用频率低，晶片直径小的探头，可避免在近场区内探伤，对厚度大的工件选用频率高，晶片直径大的探头，有利于对远距离内较小缺陷的检测。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）
    A

    K值增大时，近场区长度不变

    B

    K值增大时，近场区长度增大

    C

    K值增大时，近场区长度减小

    D

    K值与近场区长度无关


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。
    A

    频率增加、晶片直径减小而减小

    B

    频率或直径减小而增大

    C

    频率或直径减小而增大

    D

    频率增加、晶片直径减小而增大


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？

    正确答案： （1）探头晶片尺寸的选择应考虑：①晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中，对探伤有利；②晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利；③晶片尺寸大，辐射的超声波能量大，发现远距离缺陷能力增强。（2）在横波探伤中，探头Ｋ值对探伤灵敏度、声束轴线的方向、一次波的声程（入射点至底面反射点的距离）有较大的影响。按照尽可能声束与缺陷垂直的原则，选择探头主要考虑所测试件的结构和厚度。一般工件厚度较小时，选用较大的Ｋ值，以便增加一次波的声程，避免近场区探伤。当工件厚度较大时，选用小Ｋ值，以减少声程过大引起的衰减，便于发现远区缺陷。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。

    • A、频率增加、晶片直径减小而减小
    • B、频率或直径减小而增大
    • C、频率或直径减小而增大
    • D、频率增加、晶片直径减小而增大

    正确答案:D

  • 第14题：

    半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。

    • A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小
    • B、随频率或晶片尺寸减小而增大
    • C、随频率或晶片尺寸减小而减小
    • D、频率增加、晶片尺寸减小而增大

    正确答案:B

  • 第15题：

    探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。

    • A、频率增加、晶片直径减小而减小
    • B、频率或直径减小而增大
    • C、频率增加、晶片直径减小而增大

    正确答案:C

  • 第17题：

    探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

    • A、增加
    • B、减小
    • C、不变

    正确答案:A

  • 第18题：

    探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？


    正确答案: （1）探头晶片尺寸的选择应考虑：①晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中，对探伤有利；②晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利；③晶片尺寸大，辐射的超声波能量大，发现远距离缺陷能力增强。（2）在横波探伤中，探头Ｋ值对探伤灵敏度、声束轴线的方向、一次波的声程（入射点至底面反射点的距离）有较大的影响。按照尽可能声束与缺陷垂直的原则，选择探头主要考虑所测试件的结构和厚度。一般工件厚度较小时，选用较大的Ｋ值，以便增加一次波的声程，避免近场区探伤。当工件厚度较大时，选用小Ｋ值，以减少声程过大引起的衰减，便于发现远区缺陷。

  • 第19题：

    探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数，它是随（）。

    • A、频率增加、晶片直径减小而减小
    • B、频率或直径减小而增大
    • C、频率或直径减小而减小
    • D、频率增加、晶片直径减小而增大

    正确答案:D

  • 第20题：

    单选题
    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。
    A

     增大

    B

     不变

    C

     减小

    D

     都有可能


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。

    正确答案： 增大
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。
    A

    增加

    B

    减小

    C

    不变


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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