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TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。

题目

TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。

相似考题

1.TTL电路是晶体管£­晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。()此题为判断题(对，错)。

2.CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路

3.TTL门电路是晶体管-晶体管逻辑门电路的简称。

4.晶体管式安全栅是由三极管为主的晶体管电路组成的限压限流保护装置。（）

更多“TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。”相关问题

  • 第1题：

    双极性集成电路是指由（）和（）型晶体管组成的集成电路。


    正确答案:NPN；PNP

  • 第2题：

    TTL电路为（）。

    • A、晶体管--晶体管逻辑电路
    • B、反相器
    • C、除法器

    正确答案:A

  • 第3题：

    由（）组成的集成电路简称CMOS电路。

    • A、金属
    • B、氧化物
    • C、半导体场效应管
    • D、磁性物

    正确答案:A,B,C

  • 第4题：

    下列说法错误的是（）

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高

    正确答案:A,C,D

  • 第5题：

    晶体管功率继电器BG4、BG5型的电气原理框图由（）组成。

    • A、输入部分、相敏电路、晶体管执行电路
    • B、输入电路和执行电路
    • C、电子管执行电路和相敏电路
    • D、电子管输入电路和电子管输出电路

    正确答案:A

  • 第6题：

    NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。

    • A、电量
    • B、电流
    • C、电压
    • D、功率

    正确答案:B

  • 第7题：

    （）具有不同的低频小信号电路模型。

    • A、NPN型管和PNP型管
    • B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
    • C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
    • D、晶体管和场效应管

    正确答案:D

  • 第8题：

    IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。

    • A、绝缘栅场效应管
    • B、结型场效应管
    • C、绝缘栅双极晶体管
    • D、双极型功率晶体管

    正确答案:C

  • 第9题：

    根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第10题：

    下列说法错误的是（）。 

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低

    正确答案:A,C,E

  • 第11题：

    单选题
    固体半导体摄像元件CCD是一种（）
    A

    PN结光电二极管电路

    B

    PNP型晶体管集成电路

    C

    MOS型晶体管开关集成电路

    D

    NPN型晶体管集成电路


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

    正确答案： 不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体管是由半导体形成的，有（）和（）两种。

    • A、PNP、PNP
    • B、NPN、NPN
    • C、PNP、NPN
    • D、PNN、NPP

    正确答案:C

  • 第14题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第15题：

    TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    TTL集成电路，（）。

    • A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑
    • B、采用的是晶体管-晶体管逻辑
    • C、电源一般为+5V
    • D、电源一般为-5V
    • E、电源一般为+9V

    正确答案:B,C

  • 第18题：

    TTL集成门电路是指（）。

    • A、二极管---三极管集成门电路
    • B、晶体管---晶体管集成门电路
    • C、N沟道场效应管集成门电路
    • D、P沟道场效应管集成门电路

    正确答案:B

  • 第19题：

    根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

    • A、NPN型低频小功率硅晶体管
    • B、NPN型高频小功率硅晶体管
    • C、PNP型低频小功率锗晶体管
    • D、NPN型低频大功率硅晶体管

    正确答案:B

  • 第20题：

    固体半导体摄像元件CCD是一种（）

    • A、PN结光电二极管电路
    • B、PNP型晶体管集成电路
    • C、MOS型晶体管开关集成电路
    • D、NPN型晶体管集成电路

    正确答案:C

  • 第21题：

    试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。


    正确答案:不同：
    1.GTR为电流型控制器件，因此驱动电路的电流要足够大，MOSFET以及IGBT是电压型控制器件，只要只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。
    2.MOSFET及IGBT的输入阻抗大，故驱动电路结构简单，驱动功率较小，GTR的驱动电路相对复杂，需要驱动功率大。
    相同：
    1.一般驱动电路与逻辑电路、控制电路在电气上实现隔离。
    2.基极驱动电路应有一定的保护功能

  • 第22题：

    逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。


    正确答案:正确

  • 第23题：

    判断题
    晶体管式安全栅是由三极管为主的晶体管电路组成的限压限流保护装置。（）
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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