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IGBT是（）的复合管。A、GTRB、SCRC、MOSFETD、RTD

题目

IGBT是（）的复合管。

  • A、GTR
  • B、SCR
  • C、MOSFET
  • D、RTD
相似考题

1.IGBT是电流控制型器件。()

2.简述IGBT的特点。

3.变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.

4.IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以上选项都不正确

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  • 第1题：

    GBT与场管的区别，正确的有（）

    • A、场管比IGBT频率高
    • B、IGBT比场管导通压降低
    • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
    • D、IGBT的开关损耗比场管大
    • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第2题：

    复合管包括钢塑复合管和铝塑复合管等多种类型。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    IGBT与场管的区别，正确的有（）

    • A、场管比IGBT频率高
    • B、IGBT比场管导通压降低
    • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
    • D、IGBT的开关损耗比场管大
    • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第4题：

    为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    IGBT


    正确答案: 绝缘栅双极晶体管，是一种常用电力半导体器件。

  • 第6题：

    下列不是IGBT的电极是（）。

    • A、G
    • B、C
    • C、E
    • D、B

    正确答案:D

  • 第7题：

    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第8题：

    钢塑复合管的连接方法同钢管，而铝塑复合管采用卡套式连接。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    静止逆变器的IGBT元件的容量是（）.

    正确答案： 1700V/800A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.

    正确答案： 100
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    IGBT是（）和（）的复合管。

    • A、GTO
    • B、GTR
    • C、P－MOSFET
    • D、PD

    正确答案:B,C

  • 第14题：

    （）简称IGBT。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管

  • 第15题：

    不属于IGBT管特点的是（）

    • A、IGBT管为混合器件
    • B、驱动功率容量小
    • C、电流等级为10A—400A
    • D、IGBT管是一种电流型器件

    正确答案:D

  • 第16题：

    IGBT是指（）。


    正确答案:绝缘栅双极型晶体管

  • 第17题：

    IGBT是（）型器件。

    • A、全控
    • B、半控

    正确答案:A

  • 第18题：

    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第19题：

    什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？


    正确答案:IGBT由于寄生晶闸管的影响，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），也可能是duce/dt过大（动态擎住效应），会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，或增加控制极上所接电阻RG的数值，减小关断时的duce/dt，以避免出现擎住现象。

  • 第20题：

    什么是晶体管中的复合管？


    正确答案: 复合管是由两个或两个以上的晶体管组合而成的等效新管子，它具有新的电气参数。两只晶体管复合连接后，对外电路仍有三个电极，其放大倍数是组合复合管的所用晶体管放大倍数的乘积。这种组合的新管子就是复合管。

  • 第21题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    筑水暖工程用复合管有（）形式。
    A

    钢塑复合管

    B

    铝塑复合管

    C

    薄壁不锈钢管

    D

    塑料复合管

    E

    镀锌钢管


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

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