霍尔效应式速度传感器内部有一特殊（），在金属物体接近次半导体时其电阻值会发生变化，通过传感器内部电路输出信号电压。A、导体B、半导体C、超导体D、绝缘体

第1题：

压阻式压力传感器是利用（）的原理（半导体材料受压时电阻车发生变化）直接将压力转换为电信号

• A、压阻效应
• B、光电效应
• C、电磁感应
• D、霍尔效应

第2题：

常用（）作为霍尔元件。

• A、金属
• B、N型半导体
• C、P型半导体
• D、绝缘体

第3题：

霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

第4题：

霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

第5题：

霍尔信号发生器中的霍尔元件属于（）元件。

• A、绝缘体
• B、半导体
• C、导体

第6题：

半导体应变片传感器的工作原理是基于（）效应，它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数（）；压阻效应是指（）半导体材料在沿着某一轴向受到（）作用时，其（）发生变化的现象。涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的（）效应。

第7题：

霍尔传感器通常选择（）材料制作。

• A、N型半导体
• B、P型半导体
• C、金属导体
• D、导体和半导体

第8题：

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。

• A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
• B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少
• C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
• D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

第9题：

对半导体的叙述正确的是（）。

• A、半导体即超导体
• B、半导体即一半导电一半不导电
• C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质
• D、半导体是经过处理的绝缘体

第10题：

本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.

• A、金属
• B、小电阻
• C、绝缘体
• D、掺杂半导体

第11题：

第12题：

第13题：

发动机哪一种位置传感器在传感器内部需要把其电压信号放大、翻转和整形为整齐的方波信号？（）

• A、磁脉冲发生器
• B、金属探测传感器
• C、霍尔效应传感器
• D、光电传感器

第14题：

霍尔效应式速度和位置传感器可以通过旋转发动机测量其（）的方法来判断其工作的好坏。

• A、内部电阻
• B、输出信号电压
• C、输出信号电流
• D、输出交流信号

第15题：

霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。

• A、半导体材料
• B、霍尔片的几何尺寸
• C、所加电压的频率
• D、磁场方向

第16题：

硅、锗、硒等物体属于（）。

• A、导体
• B、半导体
• C、超导体
• D、绝缘体

第17题：

物质按其导电性能有（）。

• A、导体
• B、绝缘体
• C、半导体
• D、超导体

第18题：

半导体气体传感器，是利用半导体气敏元件同气体接触，造成（）发生变化，借此检测特定气体的成分及其浓度。

• A、半导体电阻
• B、半导体上电流
• C、半导体上电压
• D、半导体性质

第19题：

压阻式传感器是利用半导体材料压阻效应制作的电阻式应变传感器，其性能优于金属应变效应制作的电阻式应变传感器，主要用于压力测量。

第20题：

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。

第21题：

水温传感器为半导体热敏电阻时，其电阻值会随（）的变化而变化。

第22题：

第23题：