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干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
题目
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
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第1题：
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
- A、刻蚀速率
- B、选择性
- C、各向同性
- D、各向异性
正确答案:B -
第2题：
问答题列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。正确答案： 金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀解析： 暂无解析 -
第3题：
问答题干法刻蚀有哪几种？相应的内容是什么？正确答案： 物理性刻蚀、化学性刻蚀和物理化学性刻蚀。
1）物理性刻蚀-溅射刻蚀：等离子体中的离子或高能原子对衬底进行轰击，溅射出衬底原子，形成掩蔽膜图形。
2）化学性刻蚀：腐蚀气体等离子化，活性物F.、CF。x与氮化硅、多晶硅等被刻蚀薄膜发生化学反应，生成物被真空泵排除。
3）物理化学性刻蚀（RIE.：RIE是等离子化学性刻蚀和溅射物理性刻蚀现象同时作用的刻蚀，实际是离子辅助刻蚀。解析： 暂无解析 -
第4题：
填空题干法刻蚀的终点检测有许多方法，通常采用的是（）终点检测方法。正确答案： 残余气体质谱分析、等离子室光发射谱分析和激光干涉解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方法？正确答案： 用等离子体对薄膜线条进行刻蚀的一种新技术。
分为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀RIE、磁增强反应离子刻蚀、高密度等离子刻蚀等类型。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？正确答案： 不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？正确答案： 优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制。
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用。
缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。正确答案： 1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
○1保真度好，图形分辨率高；
○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
缺点：
○1设备复杂
○2选择比不如湿法解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题干法刻蚀适用于（）（粗/细）线条。正确答案： 细解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.解析： 暂无解析 -
第14题：
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀
Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀
Cc.溅射加工、直写加工
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第15题：
问答题什么是干法刻蚀？正确答案： 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题简述什么是干法刻蚀与湿法刻蚀。正确答案： 把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。
干法刻蚀用物理和化学方法，可实现各向异性刻蚀，能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术，广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。
把硅片置于液体化学试剂，化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法，一般是各向同性刻蚀，不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。解析： 暂无解析 -
第17题：
填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。正确答案： 化学作用,物理作用,化学作用与物理作用混合解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题简述湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点正确答案： （1）对材料具有高的选择比
（2）不会对器件带来等离子体损伤
（3）设备简单解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题干法刻蚀有高的还是低的选择比？正确答案： 干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。解析： 暂无解析 -
第20题：
判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？正确答案： 湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求，但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差；
物理性干法刻蚀方向性好、可获得接近垂直的刻蚀侧墙，但因为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性降低，另外，被击出的是非挥发性物质，容易再次淀积，使刻蚀速率降低；化学性干法刻蚀选择比高但却是各向同性刻蚀，线宽控制性差。解析： 暂无解析 -
第22题：
判断题通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。A对
B错
正确答案： 对解析： 相反 -
第23题：
问答题简述干法刻蚀的应用正确答案： 介质——氧化物和氮化硅
硅——多晶硅栅和单晶硅槽
金属——铝和钨解析： 暂无解析