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质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
题目
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:1、质量传输限制淀积速率
淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。
2、反应速度限制淀积速率
淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。 可以通过加温、加压提高反应速度。
淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。
2、反应速度限制淀积速率
淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。 可以通过加温、加压提高反应速度。
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第1题：
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
- A、ARC可以是硅的氮化物
- B、可用干法刻蚀除去
- C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
- D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
- E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
正确答案:A,B,C,D,E -
第2题：
反补贴税（CVD）
正确答案:如果某一母国对在另一国家出售的某种产品实施制造成本的补贴，接受国就有权对进口物品征收与其母国的补贴等值的反补贴税（CVD）。 -
第3题：
简述CVD技术的反应原理
正确答案:CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应，在不改变基体材料的成分和不削弱的基体材料的强度条件下，赋予材料表面一些特殊的性能。CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。 -
第4题：
“除去”的附注略号是（）。
- A、CQ
- B、GQ
- C、CV
- D、QO
正确答案:A -
第5题：
问答题为适应CVD技术的需要，选择原料、产物及反应类型等通常需满足什么要求？正确答案： （1）反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸汽压而易于挥发成蒸汽的液态或活固态物质，且有很高的纯度；
（2）通过沉积反应已与生成所需要的材料沉积物，其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离；
（3）反应易于控制。解析： 暂无解析 -
第6题：
判断题LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第7题：
名词解释题脑血管疾病(CVD)正确答案： 是由各种病因使脑血管发生病变而导致脑功能缺损的一组疾病的总称。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述CVD工艺的的工艺流程正确答案： （1）气体或气相源材料进入反应器
（2）源材料扩散穿过边界层并接触衬底
（3）源材料吸附在衬底表面
（4）吸附的源材料在衬底表面移动
（5）源材料在衬底表面开始化学反应
（6）固体产物在晶体表面形成晶核
（7）晶核生长形成岛状物
（8）岛状物结合形成连续的薄膜
（9）其他气体副产品从衬底表面上放出
（10）气体副产品扩散过边界层
（11）气体副产品流出反应器解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型正确答案： APCVD://常压化学气相淀积
LPCVD: 低压化学气相淀积
PECVD://等离子增强型化学气相淀积解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述CVD技术的反应原理正确答案： CVD是一种材料表面改性技术。它利用气相间的反应，在不改变基体材料的成分和不削弱的基体材料的强度条件下，赋予材料表面一些特殊的性能。CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。正确答案： APCVD,LPCVD,PECVD解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？正确答案： 质量传输限制淀积速率：淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD.。
反应速度限制淀积速率：淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。LPCVD属于：反应速度限制淀积速率；APCVD属于：质量传输限制淀积速率。解析： 暂无解析 -
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a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
正确答案:等离子CVD -
第14题：
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。
- A、CVD对高速钢有极强的粘附性
- B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的
- C、CVD涂层具有高耐磨性
- D、CVD表示化学气相沉积
正确答案:A -
第15题：
如何利用CVD制备金属间化合物薄膜？
正确答案:一般认为CVD成膜有几个主要阶段：反应气体向衬底表面的输送扩散；反应气体在衬底表面的吸附；衬底表面气体间的化学反应，生成固态和气态产物，固态生成物粒子经表面扩散成膜；气态生成物由内向外的扩散和表面解吸；衬底表面有足够的反应气体供应。 -
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名词解释题LPCVD（低压CVD）正确答案： 在27-270Pa压力下进行化学气相淀积。解析： 暂无解析 -
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问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？正确答案： （1）高温分解：通常在无氧的条件下，通过加热化合物分解
（2）光分解：利用辐射使化合物的化学键断裂分解
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（5）氧化还原反应：还原反应和氧化反应的组合，反应后形成两种新的化合物解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题CVD法的过程和细节分别是什么？正确答案： （1）反应气体向基片表面扩散：
（2）反应气体吸附于基片的表面，
（3）在基片表面上发生化学反应；
（4）在基片表面上产生的气相副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽走，在基片表面留下不挥发的固体反应产物——薄膜。
但任何CVD所用的反应体系，都必须满足以下三个条件：
（1）在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸气压.要保证能以适当的速度被引入反应室；
（2）反应产物除了所需要的沉积物为固态薄膜之外，其他反应产物必须是挥发性的；
（3）沉积薄膜本身必须具有足够低的蒸气压，以保证在整个沉积反应过程中都能保持在受热的基体上；基体材料在沉积温度下的蒸气压也必须足够低。解析： 暂无解析 -
第19题：
填空题CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。正确答案： 热能,等离子体,光能解析： 暂无解析 -
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问答题热生长氧化物和CVD氧化物的本质区别是什么？正确答案： 生长的薄膜与消耗的硅衬底，淀积的薄膜不消耗硅衬底。热生长的二氧化硅来自气相氧，硅来自衬底，当薄膜生长进入衬底时，这个过程会消耗衬底的硅。CVD氧化物的硅与氧都来自气相状态，并没有消耗硅衬底解析： 暂无解析 -
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（2）一般而言，当反应温度较低时，CVD将为表面反应限制所决定；当温度较高时，则为扩散限制所控制（但并不是绝对的）。解析： 暂无解析 -
第22题：
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第23题：
判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析