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描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
题目
描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
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第1题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料 -
第2题：
在分析工作中，若试剂都选用G.R.级的，则不易使用普通的蒸馏水或去离子水，而应使用经两次蒸馏制得的重蒸馏水。（）
正确答案:正确 -
第3题：
例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
正确答案:硅片制造厂房中的七中沾污源：
（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；
（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；
（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；
（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；
（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；
（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。 -
第4题：
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
正确答案:硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。 -
第5题：
例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
正确答案:氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（He）。 -
第6题：
湿沉降监测使用的采样容器，在使用前需要确定其是否清洗合格，检测方法为：以少量去离子水做模拟降雨，用离子色谱法检查模拟降雨样品中的Cl—浓度，如果与去离子水无显著差异，则认为合格；或者测定其电导率，电导率值小于0.15mS／m则视为合格。
正确答案:正确 -
第7题：
问答题例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）正确答案： 硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。正确答案： 硅衬底,微芯片,芯片解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。正确答案： 金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？正确答案： 1）在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，通过外延技术在硅表面沉积一个新的满足上述要求的晶体膜层，该膜层称为外延层。
2）在硅片上使用外延层的原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片（wafer）工艺？未来北京的Fab4（四厂）采用多少mm的wafer工艺？正确答案： 当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。正确答案： 使HDPCVD能够淀积得到的膜可以填充深宽比为3:1到4:1甚至更高的间隙。解析： 暂无解析 -
第13题：
变压器的铁心，使用导磁性能很好的硅片叠装的，并组成闭合的（）。
正确答案:磁路 -
第14题：
什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。 -
第15题：
什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？
正确答案:硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物，是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。
难熔金属硅化物的优点和其作用：
1、降低接触电阻
2、作为金属与有源层的粘合剂
3、高温稳定性好，抗电迁移性能好
4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容 -
第16题：
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
正确答案:金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。 -
第17题：
下列评价方法的描述中，属于对概念图评价方法进行描述的是：（）
- A、概念图既可以在形成性评价中使用，也可以在总结性评价中使用
- B、概念图是一种结构化知识评价工具
- C、概念构图任务是指让学生用概念图表征他们的知识的一系列过程
- D、概念图的评估包括对概念图内容和结构的检查，一般指的是质上的观察
正确答案:A,B,C -
第18题：
问答题什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？正确答案： 硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物，是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。难熔金属硅化物的优点和其作用：
1、降低接触电阻，
2、作为金属与有源层的粘合剂。
3、高温稳定性好，抗电迁移性能好4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容。解析： 暂无解析 -
第19题：
填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。正确答案： 光刻区,注入区,薄膜区解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。正确答案： 全局平坦化,磨料,压力解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题什么是外延层，为什么在硅片上使用它？正确答案： 在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。
原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题例举出硅片厂中使用的五种通用气体。正确答案： 氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（HE.解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。正确答案： 去离子水：在半导体制造过程中广泛使用的溶剂，在它里面没有任何导电的离子。DIWater的PH值为7，既不是酸也不是碱，是中性的。它能够溶解其他物质，包括许多离子化合物和供价化合物。当水分子（H2O）溶解离子化合物时，它们通过克服离子间离子键使离子分离，然后包围离子，最后扩散到液体中。解析： 暂无解析