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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层

题目

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  • A、n型掺杂区
  • B、P型掺杂区
  • C、栅氧化层
  • D、场氧化层
相似考题

1.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

2.在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅

3.在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀

4.反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

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  • 第1题：

    在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

    • A、气体
    • B、等离子体
    • C、固体
    • D、液体

    正确答案:B

  • 第2题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第3题：

    为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、铝硅铜合金
    • D、铜

    正确答案:C

  • 第4题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第5题：

    刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

    • A、选择性
    • B、均匀性
    • C、轮廓
    • D、刻蚀图案

    正确答案:B

  • 第6题：

    可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    问答题
    定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

    正确答案： 刻蚀速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蚀所用的时间高的刻蚀速率，可以通过精确控制刻蚀时间来控制刻蚀的厚度。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？

    正确答案： ①Poly 的CD（尺寸大小控制；
    ②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 1.对下层栅氧化层具有高的选择比
    2.非常好的均匀性和可重复性。
    3.高度的各向异性
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 相反

  • 第13题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第14题：

    在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

    • A、晶圆顶层的保护层
    • B、多层金属的介质层
    • C、多晶硅与金属之间的绝缘层
    • D、掺杂阻挡层
    • E、晶圆片上器件之间的隔离

    正确答案:B,C,E

  • 第15题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第16题：

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第17题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第18题：

    问答题
    二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

    正确答案： 刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    填空题
    圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

    正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

    正确答案： 不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。

    正确答案： 沉积多晶硅采用LPCVD。
    用途：①掺杂的Poly－Si在MOS器件中用做栅电极；
    ②掺杂的Poly－Si做多晶电阻及桥联；
    ③PIP电容的上下电极。
    掺杂的Poly－Si做栅电极的原因：
    ①通过掺杂可得到特定的电阻；
    ②与SiO2有优良的界面特性；
    ③和后续高温工艺的兼容性；
    ④比金属电极（如Al）更高的可靠性；
    ⑤在陡峭的结构上沉积的均匀性；
    ⑥实现栅的自对准工艺。
    解析： 暂无解析

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