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阈值电压

题目

阈值电压

相似考题

1.施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压

2.在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。

3.比较器的阈值电压是指（）A、使输出电压翻转的输入电压B、使输出达到最大幅值的基准电压C、输出达到最大幅值电压时D、使输出达到的最大幅值电压时的输入电压

4.CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大

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  • 第1题：

    EISU通用DI测量通道高电平阈值电压（）

    • A、大于等于2V
    • B、小于等于2V
    • C、大于等于3V
    • D、小于等于3V

    正确答案:A

  • 第2题：

    迟滞比较器的回差电压△U是指（）。

    • A、正向阈值电压与负向阈值电压之差
    • B、最大输出正电压与负电压之差
    • C、最大输入电压与最小输入电压之差
    • D、输出电压与输人电压之差

    正确答案:A

  • 第3题：

    比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。


    正确答案:输出；输入；0V；单门限；单值或简单、迟滞或滞回

  • 第4题：

    TTL与非门阈值电压UT的典型值是（）

    • A、0.4V
    • B、1.4V
    • C、2V
    • D、2.4V

    正确答案:B

  • 第5题：

    取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。

    • A、转折电压
    • B、反向击穿电压
    • C、阈值电压
    • D、额定电压

    正确答案:D

  • 第6题：

    问答题
    试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。

    正确答案： 当MOS工艺发展到亚微米、深亚微米水平后，必须考虑二阶效应。这时，随着沟道长度L的减小，阈值电压将减小；随着沟道宽度W的减小，阈值电压将增大。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？

    正确答案： 增强型和耗尽型
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
    A

    增大

    B

    减小

    C

    不变

    D

    先增大后减小


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    改变氧化层厚度可以控制阈值电压。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
    A

    大于零

    B

    等于零

    C

    大于0.7V

    D

    小于零


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。
    A

    氧化层厚度；

    B

    沟道中掺杂浓度；

    C

    金属半导体功函数；

    D

    氧化层电荷。


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    阈值电压VT的功能是什么？

    正确答案： 功能：在栅极下面的SI区域中形成反型层和克服二氧化硅介质上的压降。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）


    正确答案:正确

  • 第14题：

    EISU通用AI/DI测量通道低电平阈值电压（）

    • A、大于等于0.8V
    • B、小于等于0.8V
    • C、大于等于1V
    • D、小于等于1V

    正确答案:B

  • 第15题：

    施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同，那么当它们的输入电压相同时，它们的输出电压波形也相同。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    迟滞比较器的回差电压△U是指（）

    • A、正向阈值电压与负向阈值电压之差
    • B、最大输出正电压与负电压之差
    • C、最大输入电压最小输入电压之差
    • D、输出电压与输人电压之差

    正确答案:A

  • 第18题：

    问答题
    什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？

    正确答案： 阈值电压Vt是使半导体表面达到强反型所需加的栅极电压。它受衬底掺杂浓度、体效应、半导体材料的费米势等的影响。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？

    正确答案： 引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。往往用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度，从而改变阈值电压。夹断电压。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    名词解释题
    阈值电压

    正确答案： 达到阈值反型点所需的栅压。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？

    正确答案： P型杂质增加、N型杂质降低。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）

    正确答案： 体效应
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

    正确答案： 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压VBS=0，此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压VBS＞0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。
    影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。
    解析： 暂无解析

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