itgle.com

晶粒尺寸大，晶界数量少，畴壁移动的阻力小，磁滞损耗（）A、升高B、降低C、不变D、先升高再降低

题目

晶粒尺寸大，晶界数量少，畴壁移动的阻力小，磁滞损耗（）

  • A、升高
  • B、降低
  • C、不变
  • D、先升高再降低
相似考题

1.铁磁材料置于交变磁场中,材料被反复交变磁化,磁畴相互不停地摩擦,并以产生热量的形式表现出来,所造成的损耗称为()损耗A.磁滞B.铁心C.涡流D.短路

2.磁滞损耗是由()产生的。A.磁畴相互摩擦而产生的消耗B.涡流在铁心引起的损耗C.绕组的阻抗产生的损耗D.漏磁通产生的损耗

3.粗化晶粒可增加晶界的数量，是强化金属的有效手段，同时晶粒粗化后金属塑性和韧性也得到改善。

4.交流铁芯线圈的铁损是:A、磁滞损耗B、涡流损耗C、磁滞损耗和涡流损耗

参考答案和解析
正确答案:B
更多“晶粒尺寸大，晶界数量少，畴壁移动的阻力小，磁滞损耗（）”相关问题

  • 第1题：

    析出气孔的主要特征是（）。

    • A、孔洞尺寸大、数量少
    • B、孔壁粗糙、形状不规则
    • C、孔洞尺寸小、数量多
    • D、孔洞尺寸小、数量少

    正确答案:C

  • 第2题：

    较理想的铸造玻璃陶瓷材料一般要求其（）。

    • A、晶粒含量多，晶粒尺寸大
    • B、晶粒含量多，晶粒尺寸小
    • C、晶粒含量少，晶粒尺寸小
    • D、晶粒含量少，晶粒尺寸大
    • E、晶粒含量多，与晶粒尺寸无关

    正确答案:B

  • 第3题：

    晶粒与晶粒的接触处叫晶界。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    小晶体称为（）。

    • A、晶粒
    • B、晶格
    • C、晶界
    • D、晶体

    正确答案:A

  • 第5题：

    再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。

    • A、曲率中心
    • B、曲率中心相反
    • C、曲率中心垂直

    正确答案:A

  • 第6题：

    述磁畴的概念、成因和畴壁厚度的影响因素。


    正确答案: 概念：相邻原子中的的电子自旋磁矩自发地平行排列，形成一个个小的自发磁化区。
    成因：降低磁体的总能量。
    影响因素：畴壁越厚，交换能越小；但畴壁越厚，磁矩偏离易磁化方向的原子越多，磁晶各向异性能Ek越大。平衡的畴壁厚度δ0是由这两种能量共同决定的。

  • 第7题：

    金属的晶界是面缺陷。晶粒愈细，晶界愈多，金属的性能愈差。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    下列关于晶粒、晶界和亚晶界的说法中错误的是（）

    • A、晶粒越细小，晶界就越多
    • B、晶粒越细小，金属的强度越高
    • C、晶界越多，金属的强度和硬度就越低
    • D、亚晶界越多，强度就越高

    正确答案:C

  • 第9题：

    单选题
    再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。
    A

    曲率中心

    B

    曲率中心相反

    C

    曲率中心垂直


    正确答案： A
    解析： 若就个别晶粒长大的微观过程来说，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因。正常晶粒长大时，晶界总是向着曲率中心的方向移动。

  • 第10题：

    单选题
    与多孔砖相比较，空心砖的孔洞（）。
    A

    数量多、尺寸大

    B

    数量多、尺寸小

    C

    数量少、尺寸大

    D

    数量少、尺寸小


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    晶粒之间的界面称为（）。
    A

    亚晶界

    B

    晶界

    C

    曲面

    D

    小角度晶界


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    什么是磁畴？什么是磁畴壁？为什么会形成磁畴？磁畴的数目由什么条件决定？

    正确答案： 铁磁体由于交换相互作用（铁磁性）、超交换相互作用（亚铁磁性），致使原子磁矩呈平行或反平行排列，这样就可能残留称为自发磁化强度的有效磁化成分（磁畴的成因），其三维区域称为磁畴，实际的磁畴都具有一定的几何尺寸大小，彼此为自发磁化强度大小和方向各异的区域，磁畴之间的边界称为磁畴壁。
    铁磁体产生磁畴，实质是自发磁化平衡分布要满足能量最小原理的必然结果，而退磁场能最小要求是磁畴形成的根本原因。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    与多孔砖相比较，空心砖的孔洞（）。

    • A、数量多、尺寸大
    • B、数量多、尺寸小
    • C、数量少、尺寸大
    • D、数量少、尺寸小

    正确答案:C

  • 第14题：

    什么叫晶粒、晶界？


    正确答案: 内部原子排列方向一致而外形不规则的晶体叫晶粒；晶粒与晶粒的分界面称晶界。

  • 第15题：

    晶粒越细小，晶界越（），晶格畸变越（），强度硬度越高。

    • A、多，多
    • B、多，少
    • C、少，多
    • D、少，少

    正确答案:A

  • 第16题：

    焊缝的粒状晶，相当于母材晶粒外延生长。所以，焊缝母材某些晶粒的尺寸可能等于焊缝粒状晶的尺寸。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    简述磁畴存在的原因。软硬磁材料对畴界有何要求？


    正确答案: 磁畴存在的原因：为了使外部不产生N，S磁极，即降低由于自发磁化所产生的静磁能。
    软磁要求畴界容易移动。
    硬磁要求畴界很难移动。

  • 第18题：

    何谓磁畴？简述铁磁质磁畴结构特点，并指出磁畴结构和磁畴壁结构的决定因素；磁畴壁的本质是什么？有几种类型？


    正确答案: （1）磁畴，指铁磁质内部自发磁化至饱和状态（原子磁矩同向平行排列）的小区域。
    （2）磁畴结构，是对磁畴的形态、尺寸、取向、畴壁类型、畴壁厚度及其组成形式的一种描述，类似金属材料的组织，因此也称磁畴组态。 
    磁畴结构的特点：
    A.磁畴分为主畴和副畴，主畴一般都为大而长的片状或棱柱状，通常沿晶体易磁化方向；副畴多为短而小的三角形，不能保证都出现在易磁化方向；
    B.相邻磁畴通过主畴、副畴和磁畴壁组合形成自己封闭的磁回路；
    C.相邻磁畴之间是磁畴壁，它是自旋磁矩改变方向的过渡区；
    D.磁畴的尺度通常小于晶粒，畴壁不能穿越晶界。
    磁畴是自发磁化的结果，但决定磁畴结构的却是体系中的各种能量因素。
    （3）决定磁畴结构的因素
    以下能量因素决定磁畴的结构。其原则是使体系的内能最低。 交换能最低：倾向于让所有自旋磁矩同方向平行排列，形成磁单畴。退磁能最低：倾向于让所有磁畴均形成封闭磁回路。
    磁弹性能最低：倾向于形成多数量、小尺寸、多方向、应变自恰的磁畴结构。 磁各向异性能最低：倾向于让所有磁化方向均处于易磁化晶向。
    上述各种能量因素都希望自身所诱发的能量在系统总能量中所占比例尽可能低，但它们所倾向的磁畴结构却经常是相互矛盾的。各种能量因素经矛盾运动，最后结果是形成的磁畴结构一定是使体系总的能量处于最低状态。
    （4）磁畴壁是相邻磁畴之间自旋磁矩转向的过渡区。有两种类型。
    B.looh壁：畴壁内所有自旋磁矩变向的转轴垂直于壁面。
    N.eel壁：畴壁内所有自旋磁矩变向的转轴平行于壁面。其厚度和类型主要由交换能和磁各向异性能决定
    （1）交换能：畴壁越厚，交换能越低，当然磁畴壁厚度增加，牵涉的过渡原子总数会增加，这会改变总的畴壁能及其构成。
    （2）磁各向异性能：畴壁越薄，磁各向异性能越低。但最后的畴壁厚度一定使体系总畴壁能最低。

  • 第19题：

    晶粒之间的界面称为（）。

    • A、亚晶界
    • B、晶界
    • C、曲面
    • D、小角度晶界

    正确答案:B

  • 第20题：

    多选题
    多晶陶瓷破晶界的特点（）
    A

    强度比晶粒低得多

    B

    沿晶界破坏

    C

    晶粒晶界长强度高

    D

    起始裂纹长度与晶粒晶界相当


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    以下关于烧结多孔砖孔洞特征的说法正确的是（）。
    A

    尺寸小且数量步

    B

    尺寸小且数量多

    C

    尺寸大且数量少

    D

    尺寸大且数量多


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    较理想的铸造玻璃陶瓷材料一般要求其（）。
    A

    晶粒含量多，晶粒尺寸大

    B

    晶粒含量多，晶粒尺寸小

    C

    晶粒含量少，晶粒尺寸小

    D

    晶粒含量少，晶粒尺寸大

    E

    晶粒含量多，与晶粒尺寸无关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    熔体析晶遵循形核－长大机理，I、U曲线峰值大小及位置直接影响析晶过程及制品性质，当I－U重叠面积大且过冷度大时，容易得到（）。
    A

    不能析晶，得到玻璃

    B

    晶粒少、尺寸大的粗晶

    C

    晶粒多、尺寸小的细晶

    D

    晶粒多，尺寸大的粗晶


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

相关内容