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  • 第1题:

    力晶体管()是目前广泛应用的自关断电力电子器件。

    • A、GTR
    • B、GTO
    • C、MOS

    正确答案:A

  • 第2题:

    晶体三极管是具有()作用的半导体器件。

    • A、缩小;
    • B、放大;
    • C、滤波;
    • D、计算

    正确答案:B

  • 第3题:

    下列元件是单极性元件的有()。

    • A、晶体二极管
    • B、晶体三极管
    • C、MOS晶体管
    • D、电阻

    正确答案:A,B

  • 第4题:

    场效应管属于()控制型器件,而晶体三极管则认为是()控制型器件。


    正确答案:电压;电流

  • 第5题:

    晶体三极管是()控制器件,用于放大时,工作在()区;场效应管是()控制器件,用于放大时,工作在()区


    正确答案:电流;放大;电压;恒流

  • 第6题:

    晶体三极管是一种电流放大器件。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。


    正确答案:正确

  • 第8题:

    晶体三极管和场效应管分别是()。

    • A、电压控制器件,电流控制器件
    • B、电流控制器件,电压控制器件
    • C、均为电压控制器件

    正确答案:B

  • 第9题:

    判断题
    器件电容决定MOS晶体管的动态特性,门电容和源漏结电容是主要的确定因素。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件?

    正确答案: 当栅源电压VGS等于开启电压VT时,器件开始导通,当源漏间加电压VDS且VGS=VT时,由于源漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平和垂直分量的作用,沿着沟道就出现了导电。源漏电压(VDS>0)所产生的电场水平分量起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源漏电压的增大,沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    用MOS管作有源电阻,器件工作在什么状态?

    正确答案: 饱和状态
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?

    正确答案: (1)增大基区宽度:由工艺决定;
    (2)使衬底可靠接地或电源。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。


    正确答案:错误

  • 第14题:

    电源变压器、短路线、电阻、晶体三极管等元器件的装插顺序是()。

    • A、电源变压器→电阻→晶体三极管→短路线
    • B、电阻→晶体三极管→电源变压器→短路线
    • C、短路线→电阻→晶体三极管→电源变压器
    • D、晶体三极管→电阻→电源变压器→短路线

    正确答案:C

  • 第15题:

    晶体三极管是用()控制电流的半导体器件。

    • A、电容
    • B、电阻
    • C、电流
    • D、电感

    正确答案:C

  • 第16题:

    晶体三极管是()控制型器件,是()型器件。场效应管是()控制型器件,是()型器件


    正确答案:电流;双极;电压;单极

  • 第17题:

    晶体三极管是一种电压放大器件。


    正确答案:错误

  • 第18题:

    晶体三极管是一种用小电流控制大电流的器件。


    正确答案:正确

  • 第19题:

    CMOS反相器基本电路包括()

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第20题:

    判断题
    一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    问答题
    MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响?

    正确答案: 减小L和tox提高MOSFET的电流控制能力,减小W将减小输出功率和电流控制能力,同时减小Ltox和W将保持Ids不变和提高电路集成度。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    填空题
    晶体三极管是()控制器件,用于放大时,工作在()区;场效应管是()控制器件,用于放大时,工作在()区

    正确答案: 电流,放大,电压,恒流
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属电流型驱动器件。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析