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  • 第1题:

    二极管电路如图7-48所示,三个二极管的正向压降均为0.7V,它们的工作状态是()。

    A.三管均导通 B.VD1截止,VD2、VD3导通
    C.VD1导通,VD2、VD3截止 D.三管均截止


    答案:B
    解析:
    正确答案是B。
    提示:VD2、VD3支路若导通,压降为1.4V:VD1若导通,则支路电压为3.7V;支路电压低者导通,并将两端电压箝位在该支路的电压上。

  • 第2题:

    二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第3题:

    已知一只二极管的正向压降为0.7V,通过它的电流为50mA,此情况下,二极管的正向电阻为()Ω


    正确答案:14

  • 第4题:

    晶闸管导通后的管压降为()左右。

    • A、1V
    • B、1.2V
    • C、0.8V
    • D、0.6~0.7V

    正确答案:A

  • 第5题:

    晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。


    正确答案:正反;反向;0.7V;0.2V

  • 第6题:

    硅管的正向压降为0.7V。()


    正确答案:正确

  • 第7题:

    二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。


    正确答案:0.7V;0.3 V

  • 第8题:

    锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。


    正确答案:0.2V;0.1V

  • 第9题:

    普通电力二极管正向通态压降为()V。

    • A、1
    • B、3
    • C、5
    • D、7

    正确答案:A

  • 第10题:

    汽车硅整流发电机用的整流二极管,当单个二极管导通时,其正向压降为()伏。

    • A、0.3
    • B、0.7
    • C、0.9
    • D、1.15

    正确答案:B

  • 第11题:

    单选题
    若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为()
    A

    0.3

    B

    0.7

    C

    0

    D

    10


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

    正确答案: 0.6(或0.7),0.2(或0.3)
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。


    正确答案:正确

  • 第14题:

    二极管处于导通状态时,二极管的压降()。

    • A、为零
    • B、硅管0.7V,锗管0.3V
    • C、等于电路电压
    • D、电压不变

    正确答案:B

  • 第15题:

    若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为()

    • A、0.3
    • B、0.7
    • C、0
    • D、10

    正确答案:C

  • 第16题:

    ()二极管导通时,管压降为0.7伏。


    正确答案:

  • 第17题:

    常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。


    正确答案:0.6(或0.7);0.2(或0.3)

  • 第18题:

    二极管两端加上正向电压时()

    • A、一定导通
    • B、超过死区电压才导通
    • C、超过0.7V才导通
    • D、超过0.3V才导通

    正确答案:B

  • 第19题:

    在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。


    正确答案:0.5V;0.7V;0.1V;0.2V

  • 第20题:

    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。


    正确答案:若流过PN结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过PN结的电流较大时,注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。

  • 第21题:

    晶体二极管的特性:只有在()时导通,而在反向电压时不能导通。

    • A、正向电压
    • B、正向电流
    • C、正向电极
    • D、正向电路

    正确答案:A

  • 第22题:

    常温下,硅二极管的正向导通压降为()。

    • A、0.3V;
    • B、0.7V;
    • C、1V

    正确答案:B

  • 第23题:

    单选题
    硅开关二极管导通时的正向压降为()。
    A

    0.5V

    B

    0.7V

    C

    0.1V

    D

    0.3V


    正确答案: B
    解析: 暂无解析