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半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
题目
半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
相似考题
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第1题：
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
正确答案:正确 -
第2题：
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
正确答案:空穴 -
第3题：
P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
正确答案:空穴;自由电子 -
第4题：
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。
- A、载流子数增加，电阻减小
- B、载流子数减少，电阻减小
- C、载流子数增加，电阻增大
- D、载流子数减少，电阻增大
正确答案:A -
第5题：
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
正确答案:电子；空穴 -
第6题：
半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。
正确答案:浓度的不均匀 -
第7题：
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。 -
第8题：
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
正确答案:本征激发 -
第9题：
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
正确答案:错误 -
第10题：
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）
- A、电子载流子
- B、空穴载流子
- C、电子载流子和空穴载流子
正确答案:C -
第11题：
填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。正确答案： 多数 ,少数,P型解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）
- A、仅自由电子是载流子
- B、仅空穴是载流子
- C、自由电子和空穴都是载流子
- D、三价杂质离子也是载流子
正确答案:C -
第14题：
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴 -
第15题：
P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
正确答案:错误 -
第16题：
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
正确答案:掺入杂质；本征激发 -
第17题：
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
正确答案:少 -
第18题：
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
正确答案:自由电子；空穴 -
第19题：
由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）
正确答案:错误 -
第20题：
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
正确答案:五价；电子；空穴 -
第21题：
在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
正确答案:多数；少数 -
第22题：
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。正确答案： 电子,空穴,电子,空穴,空穴,本证解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。正确答案： 多数,少数解析： 暂无解析