掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。
第1题:
第2题:
静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。
第3题:
由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
第4题:
产品线宽度最小时可能为()
第5题:
如果逻辑电路的输入信号采用"正逻辑"表示,则"与"逻辑的输入端应为()时,输出端为"1"。
第6题:
正常情况下,LTG在载入代码的时候,是通过LTG的()侧MCH来实现的。
第7题:
西门子PLC若I输入导通,则对应的输入映像寄存器为()状态。
第8题:
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。
第9题:
当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。
第10题:
CMOS反相器基本电路包括()
第11题:
或门的逻辑功能为()。
第12题:
左位;1,0
左位;0,0
右位;0,1
右位;0,0
第13题:
处置PE管漏气时,抢修作业中环境温度低于()℃和大风(大于5级)条件时应采取防风、保温措施,并调整连接工艺。
第14题:
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。
第15题:
某企业股权比率为0.5,则权益乘数为()。
第16题:
马克维茨模型假定,证券之间的相关系数不能为()。
第17题:
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。
第18题:
对于增强型N型沟道MOS管,VGS只能为()并且只能当VGS()时,才能形成Id。
第19题:
对于二元异或运算符XOR,如果有两个输入为1,输出为()。
第20题:
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()
第21题:
如果f(x)没有复根,则对于任意z∈C,都有什么成立?()
第22题:
或非门的逻辑功能为()
第23题:
如果和为1,则两数必然都是1
如果和为0,则两数必然都为0
如果和为0,则两数中可能有一个为1
如果和为1,则两数中至少有一个为0
第24题:
不确定
0
1
可能为0,也可能为1