单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）A K+B Na+C Ca2+D Cl-E H+

题目

单选题

可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）

K₊

Na₊

Ca₂₊

Cl_-

H₊

相似考题

1.可产生兴奋性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

2.膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（）。

3.(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是

4.膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

更多“可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）”相关问题

第1题：

可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．H+

正确答案：D
第2题：

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+

正确答案：D
第3题：

产生抑制性突触后电位的主要离子流是（）

正确答案：D
考查考生对突触传递原理的理解。
在突触传递过程中，当突触前神经元有冲动传到末梢时，突触前膜去极化，去极化达一定水平时，末梢膜上电压门控钙通道开放，细胞外Ca2+进入末梢轴浆内，由此触发突触囊泡的出胞，以量子式释放的形式，将囊泡内的递质倾囊释出，这一过程称为兴奋一分泌耦联，而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关，故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关，而H+外流则与此无关；Na+内流可使突触膜去极化，引起兴奋性突触后电位；K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化，引起抑制性突触后电位，但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。
第4题：

可产生兴奋性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl—
E.Mg2+

正确答案：B
第5题：

A.K
B.Na
C.Ca
D.Cl
E.H

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

答案：D
解析：

冲动传到突触前末梢，触发前膜中的Ca通道开放，一定量的Ca顺浓度差流入突触内，在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。
第6题：

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A.内流
B.内流
C. 内流
D. 内流
E. 外流

答案：D
解析：
突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控通道开放，引起内流，突触后膜发生超极化。
第7题：

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．H+

答案：D
解析：
第8题：

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

A.Ca²⁺
B.Cl^-
C.Na⁺
D.K⁺
E.Mg²⁺

答案：B
解析：
第9题：

抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（）
- A、钙离子通道
- B、钠离子通道
- C、钾离子通道
- D、氯离子通道
- E、镁离子通道
正确答案:D
第10题：

单选题
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位？（　　）
A
B
C
D
E

正确答案： E
解析：
当突触后膜对Cl^－通透性升高时，突触后膜处于超极化状态，产生抑制性突触后电位，细胞膜兴奋性下降。
第11题：

单选题
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A
Na⁺内流
B
K⁺内流
C
Ca²⁺内流
D
Cl^-内流
E
K⁺外流

正确答案： C
解析：暂无解析
第12题：

单选题
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
A
Na⁺内流
B
K⁺内流
C
Ca²⁺内流
D
Cl^ˉ内流
E
K⁺外流

正确答案： A
解析：突触后膜电位在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为：抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Cl^ˉ通透性升高→突触后膜发生超极化，即产生抑制性突触后电位。
第13题：

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
A.Ca2+
B.Cl
C.Na+
D.K+
E.Mg2+

参考答案：B
第14题：

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（）。

正确答案：D
第15题：

可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl—
E.Mg2+

正确答案：D
第16题：

可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+

答案：D
解析：
本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl- ) →Cl-内流（为主）、K+外流→突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP)。
第17题：

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. H+

答案：D
解析：
第18题：

抑制性突触后电位产生的离子机制是
A. Na+内流
B. K+内流
C. Ca 2+内流
D. Cl -内流
E. K+外流

答案：D
解析：
第19题：

A.Na
B.Cl
C.Mg
D.Ca
E.K

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

答案：B
解析：
第20题：

膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（　　）

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+

答案：D
解析：
第21题：

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
- A、Na⁺内流
- B、K⁺内流
- C、Ca²⁺内流
- D、Cl^-内流
- E、K⁺外流
正确答案:D
第22题：

单选题
下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?（　　）
A
Na⁺内流
B
K⁺内流
C
Ca²⁺内流
D
Cl^－内流
E
K⁺外流

正确答案： C
解析：
突触后膜电位在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Cl^－通透性升高→突触后膜发生超极化，即产生抑制性突触后电位。故本题答案为D项。
第23题：

单选题
产生抑制性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高？（　　）
A
B
C
D
E

正确答案： B
解析：暂无解析
第24题：

单选题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
A
K⁺
B
H⁺
C
Ca²⁺
D
Cl^-
E
Na⁺

正确答案： A
解析：暂无解析

itgle.com

单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）A K+B Na+C Ca2+D Cl-E H+

题目

相似考题

更多“可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）”相关问题

相关内容