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集成电路中的电容是用PN结电容，大于100PF的电容也可制造。

题目

集成电路中的电容是用PN结电容，大于100PF的电容也可制造。

相似考题

1.就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。A、多B、少C、大D、小

2.当外加电压为零时,PN结的结电容最小。()此题为判断题(对，错)。

3.当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。()此题为判断题(对，错)。

4.两个100pf的电容相串联,其总电容等于()。A、100pfB、200pfC、50fp

更多“集成电路中的电容是用PN结电容，大于100PF的电容也可制造。”相关问题

  • 第1题：

    微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。

    • A、结电容随反向电压线性变化
    • B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小
    • C、反向电压变化不影响结电容变化

    正确答案:B

  • 第2题：

    集成电路中的元件具有以下特点（）。

    • A、元件的性能一致
    • B、对称性好
    • C、不适于作差动放大电路
    • D、制造三极管比制造电阻多用硅片
    • E、电容是PN结的结电容

    正确答案:A,B,E

  • 第3题：

    面接触型二极管的特点是（）。

    • A、PN结面积大
    • B、结电容较大
    • C、只能在低频下工作
    • D、允许通过的电流较大
    • E、常用于整流

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第4题：

    二极管最高工作频率，主要取决于PN结的（）的大小。

    • A、材料
    • B、最大整定电流
    • C、结电容
    • D、反向电流

    正确答案:C

  • 第5题：

    稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。

    • A、PN结的单向导电
    • B、PN结的反向击穿
    • C、PN结的正向导通
    • D、结电容使波形平滑

    正确答案:B

  • 第6题：

    在集成电路中，最容易制造的元件是（）

    • A、大电阻
    • B、大电容
    • C、电感
    • D、晶体管

    正确答案:D

  • 第7题：

    在集成电路中，因制造方便的原因，（）用的较多。

    • A、三极管
    • B、电阻
    • C、电容
    • D、电感

    正确答案:A

  • 第8题：

    当PN结反向工作时，其结电容主要是（）

    • A、势垒电容
    • B、扩散电容
    • C、平面电容
    • D、势垒和扩散电容并存

    正确答案:A

  • 第9题：

    当加在变容二极管上的负偏压向负的方向增大时，它的结电容（）当负偏绝对值减小时，结电容（）


    正确答案:减小；变大

  • 第10题：

    电容型设备绝缘在线监测装置电容量的测量范围为（）。

    • A、100pF～50000pF
    • B、10pF～10000pF
    • C、100pF～10000pF
    • D、10pF～50000pF

    正确答案:A

  • 第11题：

    名词解释题
    集电结电容充电时间

    正确答案： 随发射极电流变化，B-C结空间电荷区和集电区-衬底结空间电荷区宽度发生变化的时间常数。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    平面型二极管的特点是（）。

    • A、PN结面积较小时结电容小
    • B、可用于脉冲数字电路中
    • C、PN结面积较大时通过的电流较大
    • D、可用于大功率整流
    • E、模拟电路中

    正确答案:A,B,C,D

  • 第14题：

    集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于（）PF，如必须用大电容时可以外接。

    • A、10
    • B、100
    • C、1000
    • D、10000

    正确答案:B

  • 第15题：

    PN结有结电容。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    点接触型二极管的特点是（）。

    • A、PN结面积小
    • B、结电容小，通过的电流小
    • C、常用于高频、检波
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第17题：

    变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）


    正确答案:错误

  • 第18题：

    集成电路中元器件的特点是（）。

    • A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路
    • B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少
    • C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PF
    • D、集成电路中的三极管是低频小功率管
    • E、集成电路中的二极管是高性能管

    正确答案:A,B,C

  • 第19题：

    引起放大器放大倍数在高频段下降的原因是因为（）。

    • A、电路中的耦合电容
    • B、电路中的旁路电容
    • C、电路中三极管的结电容

    正确答案:C

  • 第20题：

    影响放大器下限频率fL的因素是（）。

    • A、晶体管β值
    • B、晶体管α值
    • C、PN结电容
    • D、耦合电容

    正确答案:D

  • 第21题：

    点接触型二极管的特点是（）。

    • A、结电容大，不适用高频
    • B、因结面积小，不适用高频
    • C、结电容小，可用于高频

    正确答案:C

  • 第22题：

    名词解释题
    势垒电容（结电容）

    正确答案： 反向偏置下pn结的电容。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。
    A

    结电容随反向电压线性变化

    B

    结电容随着反向电压向负方向增大而减小

    C

    反向电压变化不影响结电容变化


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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