硅二极管的正向导通压降约为()
第1题:
A.0.1
B.0.3
C.0.5
D.0.7
第2题:
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。
第3题:
在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。
第4题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第5题:
二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。
第6题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第7题:
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
第8题:
硅管的正向导通压降大于锗管。
第9题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第10题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第11题:
利用二极管()的特性,可以获得较好的稳压性能。
第12题:
对
错
第13题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第14题:
在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。
第15题:
硅二极管导通后的管压降是()伏。
第16题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第17题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第18题:
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。
第19题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第20题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第21题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第22题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第23题: