试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。

第1题：

比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

不同: IGBT 比电力 MOSFET 在背面多一个 P 型层,耐压能力及功率等级高于 MOSFET ,具有耐脉冲电流冲击的能力,且由于具备电导调制效应,通态压降较低,开关损耗少小于电力 MOSFET 。电力 MOSFET 结构与 IGBT 类似,但少了一层 P 型层,因此耐压能力及功率等级不及 IGBT ,且由于不具备电导调制效应,通态压降相对 IGBT 较高,导通损耗高于 IGBT ,但开关速度高于 IGBT ,且热稳定性好。相同:两者驱动电路均为电压驱动型,输入阻抗高,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,都不存在二次击穿问题。
第2题：

IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。

√
第3题：

IGBT综合了BJT和MOSFET的优点（）。

√
第4题：

IGBT管是由哪两种器件复合而成的（）。
A．MOSFET和GTR
B．GTO和MOSFET
C．GTR和GTO
D．MCT和MOSFET

MOSFET和GTR
第5题：

【判断题】绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。
A．Y.是
B．N.否

IGBT具有二次击穿效应