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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

题目
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


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  • 第1题:

    34、MOS晶体管漏源之间能够导电的前提,是存在导电沟道。如果导电沟道夹断,则无法导电,漏源电流IDS为零。


    错误

  • 第2题:

    11、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流

    A.P沟道耗尽型

    B.P沟道增强型

    C.N沟道耗尽型

    D.N沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第3题:

    6、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。

    A.N沟道耗尽型

    B.N沟道增强型

    C.P沟道耗尽型

    D.P沟道增强型


    N沟道耗尽型

  • 第4题:

    MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。


    N 沟道 增强型MOS管;P 沟道 增强型MOS管;N 沟道 耗尽型MOS管;P 沟道 耗尽型MOS管

  • 第5题:

    8、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。

    A.N沟道耗尽型

    B.N沟道增强型

    C.P沟道耗尽型

    D.P沟道增强型


    N沟道耗尽型