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晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。

题目
晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。

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1.有关晶闸管的特点,说法错误的是()。A.晶闸管关断时，若两端所加电压是正向电压晶闸管处于截止状态B.晶闸管关断时，若正向电压加到器件上，晶闸管由截止变为导通C.晶闸管导通时，若正向电压继续加在器件上，即使撤掉外电路注入的门极电流IG，晶闸管仍然导通D.晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都会导通

2.如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭

3.变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口

4.逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的()A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流

参考答案和解析
参考答案：误导通;因局部过热而损坏
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  • 第1题：

    晶闸管的几个主要参数是()。

    A.额定通态平均电流

    B.维持电流

    C.断态重复峰值电压

    D.反向重复峰值电压


    参考答案：ABCD

  • 第2题：

    20、提高晶闸管di/dt耐量主要从（）考虑。

    A．设置放大门极，提高触发强度；

    B．减小.电流容量；

    C．减小电压耐量；

    D．设计较复杂的门极结构，增大初始导通面积。


    错误

  • 第3题：

    【单选题】逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的（)

    A．电流变化

    B．电流上升率

    C．电流上升

    D．电流


    A.串有空心电感

  • 第4题：

    用晶闸管变流装置与直流电动机组成的直流调速系统中，多台变流器共用一台整流 变压器时，每台变流器分别通过进线电抗器供电。以下对进线电抗器所起作用的描述中正确 的是（ 〉。

    A.限制晶闸管导通时的di/dt；
    B.限制短路时的短路电流上升率；
    C.提高变流器输入电压；
    D.改善电源电压波形，消除变流器运转时对电源系统的公害。

    答案：A,B,D
    解析：

  • 第5题：

    关于关断缓冲电路，表述正确的是：

    A．di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。

    B．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。

    C．关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。

    D．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。


    du/dt 抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制 du/dt ，减小关断损耗。

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