A.FST
B.TRIAC
C.RCT
D.GTO
第1题:
如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:
A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D.门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
第2题:
晶闸管是半控型整流器件,其门极可控制打开但不能控制关断
第3题:
晶闸管是半控型整流器件,其门极可控制打开但不能控制关断。
第4题:
门极可关断晶闸管又称为IGBT()。
第5题:
【判断题】就导通饱和程度而言,晶闸管是临界饱和,而门极可关断晶闸管是深度饱和。
A.Y.是
B.N.否