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  • 第1题:

    如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:

    A.门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。

    B.门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。

    C.门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。

    D.门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。


    C

  • 第2题:

    晶闸管是半控型整流器件,其门极可控制打开但不能控制关断


    正确

  • 第3题:

    晶闸管是半控型整流器件,其门极可控制打开但不能控制关断。


    正确

  • 第4题:

    门极可关断晶闸管又称为IGBT()。


    正确

  • 第5题:

    【判断题】就导通饱和程度而言,晶闸管是临界饱和,而门极可关断晶闸管是深度饱和。

    A.Y.是

    B.N.否


    错误