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晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

题目

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

相似考题

1.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

2.晶体管能够放大的内部条件是()。A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

3.关于三极管,不正确的描述是()A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大

4.晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏

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  • 第1题：

    晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。


    正确

  • 第2题：

    制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。


    A

  • 第3题：

    7、要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

    A．增大基区掺杂浓度

    B．减小基区掺杂浓度

    C．增大基区宽度

    D．减小基区宽度


    减小基区掺杂浓度;减小基区宽度

  • 第4题：

    以下哪个条件不能使晶体管具有良好的放大性能

    A．发射结正偏，集电结也正偏

    B．发射区高掺杂

    C．基区宽度较小

    D．集电区低掺杂


    发射结正偏，集电结也正偏

  • 第5题：

    11、为保证放大模式的应用，BJT在工艺制造中需满足（）。

    A．发射区掺杂浓度最高

    B．基区宽度极薄

    C．集电结面积远远大于发射结面积

    D．发射区和集电区掺杂浓度一样

    E．基区足够宽

    F．集电结面积和发射结面积一样大


    B

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