此题为判断题(对,错)。
第1题:
门极伏安特性指门极电压与 的关系
第2题:
2、管压降UCE增大,共发射极接法的晶体管的输入特性曲线()。
A.左移
B.右移
C.上移
D.下移
第3题:
5、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
第4题:
以下关于直流电弧描述,错误的是()。
A.直流电弧的电弧电阻对外呈现负阻性。
B.直流电弧动态伏安特性与静态伏安特性不同的原因在于弧柱的温度和直径具有热惯性。
C.一定条件下,直流电弧静态伏安特性只有一条。
D.直流电弧的动态伏安特性只有一条。
第5题:
18、下面()可减小IGBT的通态压降。
A.减小漂移区厚度
B.增大栅极电压
C.适当增加漂移区载流子寿命
D.增大漏极电压