第1题:
第2题:
当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体三极管处于()。
第3题:
晶体三极管工作在放大区的条件是()。
第4题:
晶体三极管工作在放大状态时,应满足()。
第5题:
晶体三极管处于放大状态的条件是()。
第6题:
晶体三极管放大区的特点是()。
第7题:
当硅晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在()。
第8题:
晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是()
第9题:
如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管()。
第10题:
晶体三极管工作在放大状态的外部条件是()。
第11题:
集电极电流减小
集电极电压Uc上升
集电极电流增大
第12题:
放大状态
饱和状态
截止状态
第13题:
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()
第14题:
晶体三极管处于放大状态时()。
第15题:
当发射结正偏、集电结反偏时,晶体三极管工作在放大状态。
第16题:
晶体三极管要处于截止状态必须满足()。
第17题:
晶体三极管处于放大状态时()。
第18题:
当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将()
第19题:
晶体三极管工作在饱和区时,要求()
第20题:
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于()
第21题:
晶体三极管工作于饱和状态时,则()。
第22题:
晶体三极管用于放大时,则()。
第23题:
集电极正偏,发射极正偏
集电极反偏,发射极正偏
集电极正偏,发射极反偏