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给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）

题目

给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）

相似考题

1.画出标准操作冲击电压全波波形,并给出IEC推荐的波形参数。

2.声卡的组成很简单，它主要由一块声频处理芯片，一块音频综合芯片和一块放大器电路组成。波形声音输入计算机时，信号的取样与量化是由【 】完成的。

3.试分别画出图4-30(a)电路输出端Y、Z和图4-30(b)电路输出端Q2的波形.输入信号A和CP的电压波形如图4-30(c)所示,各触发器的初始状态为0.

4.已知电路及输入信号波形如图4－13所示.试画出主从JK触发器的Q'.Q端的波形,触发器初始状态为0.

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  • 第1题：

    试画出图4-15中各触发器Q端波形.设初始状态均为0.


    答案:

  • 第2题：

    画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试


    正确答案：
               

  • 第3题：

    画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）


    正确答案：
           

  • 第4题：

    NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是()

    A.NOR的读速度比NAND稍慢一些

    B.NAND的写入速度比NOR慢很多

    C.NAND的擦除速度远比NOR的慢

    D.大多数写入操作需要先进行擦除操作


    参考答案：D

  • 第5题：

    逻辑电路与其输入端的波形如图题4-5所示，试画出逻辑电路输出端Y的波形。

    图题4-5


    答案：Y=A+B—

  • 第6题：

    画出图题5-9所示的正边沿触发JK触发器输出Q端的波形，输入端J、K与CLK的波形如图所示。(设Q初始状态为0)


    答案：

  • 第7题：

    试画出图题5-15所示各触发器输出Q端的波形，CLK 的波形如图所示。(设Q初始状态为0)


    答案：

  • 第8题：

    试画出图题5-19所示电路中触发器输出Q1、Q2端的波形，输入端CLK的波形如图所示。(设Q初始状态为0)


    答案：

  • 第9题：

    画出图题5-5所示的边沿触发D触发器输出端Q端的波形，输入端D与CLK的波形如图所示。(设Q初始状态为0)


    答案：

  • 第10题：

    进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是（ ）。

    A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些
    B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些
    C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些
    D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

    答案：A
    解析：
    NAND Flash的读取速度比NOR Flash稍慢一些，其随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。

  • 第11题：

    简述正常心电图的波形组成和各波的意义？


    正确答案: （1）、组成：正常的心电图由P、Q、R、S、T等波组成，此外尚有U波与P-R段，S-T段等。
    （2）各波的意义
    P.波：是反映左、右两心房除极过程中电位变化的波形
    P.R段：是反映激动由心房传至心室的过程
    Q.RS波群：是反映左、右心室除极过程中电位变化的综合波形
    S.T段：代表左、右心室除极完毕之后到复极，再度在体表产生电位差之前的一段时间
    T.波：是反映心室肌复极过程中电位变化的波形
    U.波：它可能代表心肌激动的“激后电位”

  • 第12题：

    单选题
    传感器由（）组成。
    A

    硬盘和波形整形电器

    B

    软盘和波形整形电器

    C

    软盘和波形电器

    D

    硬盘和波形电器


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题)


    正确答案：
      

  • 第14题：

    给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 －14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）


    正确答案：
           

  • 第15题：

    给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9

    －14b)，问你有什么办法提高*** time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温

    度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）


    正确答案：
                 

  • 第16题：

    试画出图题2-1 (a) 所示电路在输入图题2-1 (b)波形时的输出端B、C的波形。

    图题2-1


    答案：

  • 第17题：

    对于图题4-21所示波形作为输入的电路，试画出其输出端的波形。


    答案：

  • 第18题：

    试画出图题5-14所示各触发器输出Q端的波形，CLK、 A和B的波形如图所示。(设Q初始状态为0)


    答案：

  • 第19题：

    画出图题5-4所示的电平触发D触发器输出Q端的波形，输入端D与CLK的波形如图所示。(设0初始状太为0)


    答案：

  • 第20题：

    画出图题5-1所示的SR锁存器输出端Q、端的波形，输入端与的波形如图所示。(设Q初始状态为0)


    答案：

  • 第21题：

    根据《波形梁钢护栏第2部分：三波形梁钢护栏》（GB/T 31439.2-2015）规定，三波形梁钢护栏由（ ）等构件组成。

    A.三波形梁板
    B.过渡板
    C.立柱
    D.拼接螺栓

    答案：A,B,C,D
    解析：
    P251，三波形梁钢护栏由三波形梁板、三波形梁背板、过渡板、立柱、防阻块、横隔梁、端头、拼接螺栓、连接螺栓、加强横梁等构件组成。

  • 第22题：

    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）

    • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
    • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
    • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
    • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

    正确答案:D

  • 第23题：

    NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是（）

    • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
    • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
    • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
    • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

    正确答案:D

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