画出Y=A*B+C的cmos电路图。(科广试题)
第1题:
画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E)。(仕兰微电子)
第2题:
画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。(未知)
第3题:
什么叫Latchup?(科广试题)
第4题:
画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)
第5题:
画出如下逻辑函数式的逻辑电路图。
答案:
25.写出表题 2-25的与或逻辑函数式。
Y=A-B-C+ABC+AB-C-+AB-C
Y=ABC+ABC+ABC+ABC
答案:
第6题:
第7题:
第8题:
第9题:
画出三相感应电动机接触器联锁正反转控制电路图。
略
第10题:
画出一个简单的直流电路图。
略
第11题:
电路图中,各电器的触头位置都按电路未通电或电器未受外力作用时的常态位置画出。()
第12题:
程序中的表达式是按照一定的规则组合而成的,代数式xy/(b+c)在VB语言中转换后的表达式是()。
第13题:
用逻辑们画出D触发器。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第14题:
描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)
第15题:
什么叫窄沟效应? (科广试题)
第16题:
以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
第17题:
第18题:
第19题:
第20题:
试画出电动机具有自锁的正转控制电路图。
略
第21题:
画出单相半波整流电容滤波电路图。
略
第22题:
电路图中各电器触点状态都是按电磁线圈未通电或电器未受力时的常态画出的。
第23题:
电路图绘制、识读电路图时应遵循以下的原则说法错误的是()