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什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）

题目

什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）

相似考题

1.To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

2.什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）

3.你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）

4.我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）

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  • 第1题：

    描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）


    正确答案：
                

  • 第2题：

    列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目

    ）


    正确答案：
                  

  • 第3题：

    描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
            

  • 第4题：

    中断的概念？简述中断的过程。（仕兰微面试题目）


    正确答案：
           

  • 第5题：

    你认为你从事研发工作有哪些特点？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
         

  • 第6题：

    结型场效应管可分为（）。

    • A、MOS管和MNS管
    • B、N沟道和P沟道
    • C、增强型和耗尽型
    • D、NPN型和PNP型

    正确答案:B

  • 第7题：

    绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种


    正确答案:正确

  • 第8题：

    （）具有不同的低频小信号电路模型。

    • A、NPN型管和PNP型管
    • B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
    • C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
    • D、晶体管和场效应管

    正确答案:D

  • 第9题：

    单极性集成电路包括（）

    • A、TTL集成电路
    • B、PMOS集成电路
    • C、NMOS集成电路
    • D、CMOS集成电路

    正确答案:B,C,D

  • 第10题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第11题：

    问答题
    耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

    正确答案： 耗尽型负载nMOS反相器的制造工艺更加复杂，但可以有陡峭的VTC过渡和更好的噪声容限，并且是单电源供电，整体的版图面积也较小。另外，在CMOS电路中使用耗尽型晶体管还能减少漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    什么是CMOS技术？什么是ASIC？

    正确答案： CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。使集成电路有功耗低，工作电压范围宽，逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强，隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。
    ASIC://（Application Specific Integrated Circuits）专用集成电路，是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。优点是：体积小，重量轻，功耗低，可靠性好，易于获得高性能，保密性好，大批量应用时显著降低成本。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）


    正确答案：
        

  • 第14题：

    半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
            

  • 第15题：

    PCI总线的含义是什么？PCI总线的主要特点是什么？ （仕兰微面试题目）


    正确答案：
              

  • 第16题：

    请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法。（仕兰微面试题目）


    正确答案：
         

  • 第17题：

    什么是CMOS门电路？它有什么特点？


    正确答案:CMOS门电路是以增强型PMOS管和增强型NMOS管构成的互补型MOS器件。它具有功耗低、抗干扰能力强、开关速度快等优点。

  • 第18题：

    什么是CMOS技术？什么是 ASIC？


    正确答案:CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术：将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。使集成电路有功耗低，工作电压范围宽，逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强，隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。
    ASIC://（Application Specific Integrated Circuits）专用集成电路，是指应特定用户要求或特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。优点是：体积小，重量轻，功耗低，可靠性好，易于获得高性能，保密性好，大批量应用时显著降低成本。

  • 第19题：

    在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    单极型集成电路可分为（）几种。

    • A、TTL型
    • B、TDK型
    • C、PMOS型
    • D、NMOS型
    • E、CMOS型

    正确答案:C,D,E

  • 第21题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第22题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第23题：

    问答题
    为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

    正确答案： N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍
    解析： 暂无解析

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