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缓冲电路的基本设计思路是：()A.在器件开通时，使电压缓升;在器件关断时，使电流缓升B.在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升

题目

缓冲电路的基本设计思路是：()

A.在器件开通时，使电压缓升;在器件关断时，使电流缓升

B.在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升

相似考题

1.缓冲电路的基本设计思路是：在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升。()

2.在PWM电路中，电力电子开关器件在高电压下开通，大电流时关断，处于强迫开关过程。因此称之为 。

3.如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。

4.开通缓冲电路（di/dt抑制电路）的作用是抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。

参考答案和解析
正确答案：B
更多“缓冲电路的基本设计思路是:()A.在器件开通时,使电压缓升;在器件关断时,使电流缓升B.在器件开通 ”相关问题

  • 第1题：

    如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：

    A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。

    B．MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。

    C．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。

    D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。


    正确

  • 第2题：

    8、关于电力电子器件缓冲电路，表述正确的是下面哪一个？

    A．缓冲电路又称吸收电路，其作用是吸收电力电子器件的热量。

    B．缓冲电路又称吸收电路，其作用是使器件的开关速度变为缓慢。

    C．缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。

    D．缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。


    缓冲电路又称吸收电路，目的是抑制器件的内因过电压、 du/dt 、过电流和 di/dt ，减小器件的开关损耗。

  • 第3题：

    3、电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：

    A．电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。

    B．能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。

    C．电力电子器件一般都工作在开通状态。

    D．电力电子器件一般都工作在关断状态。


    处理电功率的能力大;需要由信息电子电路来控制;自身的功率损耗大

  • 第4题：

    1、在电力电子变换电路分析过程中，通常认为开关器件为理想器件，以下关于理想开关器件的描述，正确的是？

    A．导通时器件两端管压降较大

    B．开通与关断过程需要较长时间才能完成

    C．关断时其反向漏电流较大

    D．导通时其管压降约等于零


    导通时其管压降约等于零

  • 第5题：

    关于关断缓冲电路，表述正确的是：

    A．di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。

    B．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。

    C．关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。

    D．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。


    du/dt 抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制 du/dt ，减小关断损耗。

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