A、电流放大系数β
B、反向饱和电流ICBO
C、反向击穿电压BUCEO
D、耗散功率PCM
第1题:
采用CMOS结构实现下列逻辑运算时,哪些需要使用8个MOS晶体管
A.y=(a+b.c)’
B.y=a+b+c
C.y=a+b+c’
D.y=a‘+b
第2题:
5、采用CMOS结构实现下列逻辑运算时,哪些需要使用8个MOS晶体管
A.y=(a+b.c)’
B.y=a+b+c
C.y=a+b+c’
D.y=a‘+b
第3题:
1、晶体管的最大允许集电极电流ICM是指β下降到额定值2/3时的IC值。
第4题:
晶体管的最大允许集电极电流ICM是指β下降到额定值2/3时的IC值。
第5题:
有一额定值为“5W、500Ώ”的线绕电阻,使用时电压不能超过多大的数值