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间接DR中，位于FPD顶层的是A.非晶砸B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD

题目

间接DR中，位于FPD顶层的是

A.非晶砸

B.碘化铯

C.钨酸钙

D.非晶硅

E.CCD

相似考题

1.直接转换技术的DR中应用的转换介质是A、影像板B、增感屏C、碘化铯D、非晶硒E、非晶硅

2.直接转换技术的DR，应用的转换介质是()。A.影像板B.增感屏C.碘化铯D.非晶硒E.非晶硅

3.直接FPD中将射线转化为电信号的是A.非晶砸B.非晶桂C.光激励荧光体D.光电倍增管E.CCD

4.间接DR中，位于FPD顶层的是A、非晶硒B、碘化铯C、钨酸钙D、非晶硅E、CCD

更多“间接DR中,位于FPD顶层的是A.非晶砸B.碘化铯C.钨酸钙D.非晶硅E.CCD ”相关问题

  • 第1题：

    直接转换技术DR中应用的转换介质是

    A.影像板

    B.增感屏

    C.碘化铯

    D.非晶砸

    E.非晶硅


    正确答案：D

  • 第2题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是

    A．增感屏

    B．非晶硒平板探测器

    C．碘化铯+非晶硅探测器

    D．半导体狭缝线阵探测器

    E．多丝正比电离室


    正确答案：C

  • 第3题：

    直接转换技术的DR中应用的转换介质是

    A.影像板
    B.碘化铯
    C.非晶硅
    D.非晶硒
    E.增感屏

    答案：D
    解析：

  • 第4题：

    直接转换技术的DR中应用的转换介质是

    A.影像板

    B.增感屏

    C.碘化铯

    D.非晶砸

    E.非晶硅


    正确答案：D

  • 第5题：

    间接DR中，位于FPD顶层的是

    A.非晶硒
    B.碘化铯
    C.钨酸钙
    D.非晶硅
    E.CCD

    答案：B
    解析：
    碘化铯为常用的间接DR闪烁体。

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