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多丝正比电离室探测器是A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器

题目

多丝正比电离室探测器是

A、直接探测器

B、间接探测器

C、模拟探测器

D、平板探测器

E、动态探测器

相似考题

1.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

2.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

3.属于DR成像间接转换方式的部件是A．增感屏B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室

4.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器

更多“多丝正比电离室探测器是A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器 ”相关问题

  • 第1题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是

    A．闪烁体+CCD摄像机阵列

    B．非晶硒平板探测器

    C．碘化铯+非晶硅探测器

    D．半导体狭缝线阵探测器

    E．多丝正比电离室


    正确答案：B

  • 第2题：

    多丝正比电离室探测器是

    A.间接探测器
    B.直接探测器
    C.动态探测器
    D.平板探测器
    E.模拟探测器

    答案：B
    解析：

  • 第3题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是

    A.增感屏
    B.非晶硒平板探测器
    C.碘化铯+非晶硅探测器
    D.半导体狭缝线阵探测器
    E.多丝正比电离室

    答案：C
    解析：
    DR成像间接转换方式的部件是碘化铯+非晶硅探测器，X线照射碘化铯，X线光子转换为可见光，可见光激发非晶硅光电二极管阵列产生电信号。

  • 第4题：

    数字X线摄影(DR)不包括

    A.直接转换平板探测器

    B.间接转换平板探测器

    C.多丝正比室探测器

    D.闪烁体+CCD摄像机阵列

    E.线扫描计算机X线摄影


    正确答案：E

  • 第5题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是

    A.闪烁体+CCD摄像机阵列
    B.非晶硒平板探测器
    C.碘化铯+非晶硅探测器
    D.半导体狭缝线阵探测器
    E.多丝正比电离室

    答案：B
    解析：
    DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器，X线光子可直接转换为电信号。

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