用波长为253nm的光照射钨丝的表面时,在光电管的电路中产生的光电流,由于外加1V 的遏止电压而截止。已知钨的逸出功为4.5eV,试求接触电势差。

第1题：

在光电效应实验中，若用波长为366nm的光照射在金属钾上，已知钾的逸出功为2.00eV， 则遏制电压为： eV。（用数值表示，取3位有效数字）

第2题：

已知锂的红限波长为500nm，用波长为330nm的紫外光照射锂的表面，求： （1） 锂的电子逸出功； （2） 遏止电压

第3题：

在光电效应实验中，若用波长为366nm的光照射在金属钾上，已知钾的逸出功为2.00eV， 则遏制电压为： V。（用数值表示，取3位有效数字）

第4题：

某光电管阴极对于l = 491nm的入射光, 发射光电子的遏止电压为0.71伏.当入射光的波长为_________ nm时, 其遏止电压变为1.43 V.

第5题：

某光电管阴极, 对于l = 491nm 的入射光，其发射光电子的遏止电压为0.71 V．当入射光的波长为______________nm 时，其遏止电压变为1.43 V．