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金属导体的电阻率随温度升高而______;半导体的导电能力随温度升高而______。A.升高/升高B.降低/降低C.升高/降低D.降低/升高

题目

金属导体的电阻率随温度升高而______;半导体的导电能力随温度升高而______。

A.升高/升高

B.降低/降低

C.升高/降低

D.降低/升高


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  • 第1题:

    金属导体的电阻值随温度升高而 ,半导体的电阻值随温度升高而减小。


    正确答案:增大

  • 第2题:

    由于晶格热振动的加剧,金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大


    错误

  • 第3题:

    8、热电阻温度传感器包括金属热电阻和半导体热电阻,利用了电阻率却随温度升高而升高,来实现温度测量。


    半导体热电阻

  • 第4题:

    热电阻温度传感器包括金属热电阻和半导体热电阻,利用了电阻率却随温度升高而升高,来实现温度测量。


  • 第5题:

    15、关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有()。

    A.杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

    B.低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降

    C.高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降

    D.当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素


    低温下,半导体的电阻率随温度的升高而下降,主要因为载流子浓度随温度升高而升高,且杂质电离散射几率随温度升高而下降;高温下,当本征激发称为主要矛盾时,其电阻率随温度升高而下降;当温度升高到杂质基本电离,且本征激发不显著时,晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素