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41、利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）。（A. DRAM B.SRAM)

题目

41、利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）。（A. DRAM B.SRAM)

相似考题

1.下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

2.下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新

3.半导体静态RAM靠【 】存储信息，半导体动态RAM靠电容存储电荷的原理来存储信息。

4.下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

更多“41、利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）。（A. DRAM B.SRAM)”相关问题

  • 第1题：

    下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是______。

    A．存储在SRAM或DRAM中的数据在断电后将全部丢失且无法恢复

    B．SRAM的集成度比DRAM高

    C．DRAM的存取速度比SRAM快

    D．DRAM常用来做Cache用


    正确答案：D
    解析：RAM(Random Access Memory)随机存储器，存储单元的内容可按需随意取出或存人，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM，DRAM)。

  • 第2题：

    DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。


    正确答案：刷新或Refresh
    刷新或Refresh 解析：本题考查DRAM的工作原理，它就是靠刷新来维持上面存储信息的。

  • 第3题：

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

    A.原极；

    B.漏极；

    C.栅极；


    参考答案：B

  • 第4题：

    MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    DRAM需要刷新的原因是因为DRAM靠（）存储电荷，如果不刷新，会因为漏电而失去存储的信息。


    正确答案:电容

  • 第6题：

    无论采用何种工艺，动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    以下几种存储器中，利用电容存储电荷原理保存信息的是：（）

    • A、静态RAM
    • B、动态RAM
    • C、EPROM
    • D、FLASH

    正确答案:B

  • 第8题：

    由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。

    • A、MOS栅极
    • B、保护性元件
    • C、电容器极板
    • D、制造只读存储器PROM
    • E、晶圆背面电镀

    正确答案:B,D

  • 第10题：

    源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。

    • A、对地阻抗极大
    • B、对地有数uF的电容
    • C、对地有很高的电压
    • D、以上都正确

    正确答案:A

  • 第11题：

    单选题
    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）
    A

    DRAM存储器需要对存储内容定时刷新

    B

    DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点

    C

    DRAM存储器属于非易失的存储器

    D

    DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    动态存储单元是靠（）的功能来保存和记忆信息的。
    A

    自保持

    B

    栅极存储电荷


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    无论采用何种工艺,动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案正确

  • 第14题：

    SRAM和DRAM的区别?()

    A.SRAM比DRAM功耗高

    B.SRAM比DRAM成本高

    C.SRAM比DRAM速度快

    D.SRAM比DRAM散热大


    参考答案：ABCD

  • 第15题：

    一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。

    • A、二极管
    • B、负载电容
    • C、负载电感
    • D、有源负载

    正确答案:D

  • 第16题：

    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）

    • A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
    • B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
    • C、DRAM存储器属于非易失的存储器
    • D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

    正确答案:C

  • 第17题：

    用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）


    正确答案:刷新

  • 第18题：

    静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。


    正确答案:触发器；电容

  • 第19题：

    动态RAM的基本存储电路是（）。

    • A、双稳态触发器
    • B、电容器
    • C、MOS管
    • D、晶体管

    正确答案:B

  • 第20题：

    MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。

    • A、基极
    • B、集电极
    • C、发射极
    • D、发射极或集电极

    正确答案:A

  • 第21题：

    动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。


    正确答案:充放电；刷新

  • 第22题：

    绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。


    正确答案:错误

  • 第23题：

    问答题
    请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

    正确答案： （1），（4），（6）是正确的。
    （2），（3），（5）是错误的。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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