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5、关于IGBT，下面（）不正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

题目

5、关于IGBT，下面（）不正确。

A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；

B．IGBT存在电导调制效应；

C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；

D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

相似考题

1.SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

2.IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以上选项都不正确

3.简述IGBT的特点。

4.IGBT是电流控制型器件。()

参考答案和解析
BC
更多“5、关于IGBT，下面（）不正确。”相关问题

  • 第1题：

    关于HTTP协议．下面描述不正确的是（ ）


    正确答案：B
    HTTP协议是一个无状态协议，在服务器端不维护客户端的状态，同样的资源服务器能够支持的客户端的个数比较多，这一点和FTP是不同的，FTP协议是一个有状态协议。

  • 第2题：

    变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.


    正确答案:100

  • 第3题：

    双馈风机变频器并网前必须完成的项目包括（）

    • A、直流预充电
    • B、转矩加载
    • C、网侧IGBT调制
    • D、转子侧IGBT调制

    正确答案:A,C,D

  • 第4题：

    （）简称IGBT。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管

  • 第5题：

    不属于IGBT管特点的是（）

    • A、IGBT管为混合器件
    • B、驱动功率容量小
    • C、电流等级为10A—400A
    • D、IGBT管是一种电流型器件

    正确答案:D

  • 第6题：

    CRH5型动车组不具有IGBT的（）

    • A、四象限整流器
    • B、牵引逆变器
    • C、制动斩波器
    • D、TV传感器

    正确答案:D

  • 第7题：

    IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）

    • A、电磁噪音很小
    • B、电流波形大为改善，电机的转矩增大
    • C、IGBT管二次击穿现象小
    • D、最大管子容量比GTO管大的多

    正确答案:A,B,C

  • 第8题：

    IGBT


    正确答案: 绝缘栅双极晶体管，是一种常用电力半导体器件。

  • 第9题：

    IGBT有哪些突出优点？


    正确答案:IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。

  • 第10题：

    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第11题：

    判断题
    为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.

    正确答案： 100
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面关于四分位数间距描述不正确的是（ ）


    正确答案：B

  • 第14题：

    双馈风机变频器并网前必须完成的项目不包括（）。

    • A、直流预充电
    • B、转矩加载
    • C、网侧IGBT调制
    • D、转子侧IGBT调制

    正确答案:B

  • 第15题：

    GBT与场管的区别，正确的有（）

    • A、场管比IGBT频率高
    • B、IGBT比场管导通压降低
    • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
    • D、IGBT的开关损耗比场管大
    • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第16题：

    IGBT与场管的区别，正确的有（）

    • A、场管比IGBT频率高
    • B、IGBT比场管导通压降低
    • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
    • D、IGBT的开关损耗比场管大
    • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第17题：

    为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    下面说法中不正确的是（）

    • A、工频机相对高频机抗过流能力更强
    • B、在线式UPS正常工作状况下UPS逆变始终处于工作状态
    • C、停电后，UPS能够输出稳定的直流电
    • D、IGBT、SCR是目前使用最广泛的功率器件

    正确答案:C

  • 第19题：

    IGBT是指（）。


    正确答案:绝缘栅双极型晶体管

  • 第20题：

    说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。


    正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
    （1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
    （2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
    电力晶体管GTR：
    （1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
    门极可关断晶闸管GTO：
    （1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
    （2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
    电力场效应管MOSFET：
    （1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
    （2）缺点：电流容量小、耐压低。

  • 第21题：

    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第22题：

    开关频率在（）时，应用功率大于5KW的IGBT较为合适。

    • A、1—1.5KHz
    • B、1.5--2KHz
    • C、大于2KHz
    • D、以上都对

    正确答案:B

  • 第23题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    关于UE等级下面说法不正确的是（）
    A

    LTE共有5种UE等级

    B

    CAT3终端上行支持16QAM

    C

    CAT4终端上行支持64QAM

    D

    CAT5终端上行支持64QAM


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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