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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 （A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）A．ABB．BCC．CAD．CB

题目

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 （A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）

A．AB

B．BC

C．CA

D．CB

相似考题

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

2.杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

3.杂质半导体中的少数载流子浓度取决于()A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

4.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

更多“在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 （A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）”相关问题

  • 第1题：

    PN结是()形成的。

    A、将P型和N型半导体掺杂

    B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散

    C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散

    D、多数载流子与少数载流子相互扩散


    参考答案：B

  • 第2题：

    在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

    A.温度

    B.掺杂工艺

    C.杂质浓度

    D.晶体缺陷

    E.空穴

    F.自由电子


    参考答案：AC

  • 第3题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。


    正确答案:温度

  • 第4题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系


    正确答案:掺杂浓度；温度

  • 第6题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第7题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。


    正确答案:掺杂浓度；温度

  • 第8题：

    半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的


    正确答案:正确

  • 第9题：

    杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。


    正确答案:本征激发

  • 第10题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂元素
    • C、掺杂浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:A

  • 第11题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

    • A、晶体缺陷
    • B、温度
    • C、杂质浓度
    • D、掺杂工艺

    正确答案:C

  • 第12题：

    单选题
    杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
    A

    温度

    B

    杂质浓度

    C

    电子空穴对数目

    D

    都不是


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

    A、温度

    B、杂质浓度

    C、原本征半导体的纯度


    参考答案：B

  • 第14题：

    在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷

    正确答案:A

  • 第15题：

    掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关


    正确答案:杂质的含量；温度；本征激励；温度

  • 第16题：

    在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。


    正确答案:自由电子；空穴

  • 第17题：

    杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、掺杂浓度
    • D、晶格缺陷

    正确答案:C

  • 第18题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。


    正确答案:掺杂浓度；温度

  • 第19题：

    杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？


    正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

  • 第20题：

    温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）


    正确答案:增加；增加；基本不变

  • 第21题：

    在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体管缺陷

    正确答案:A

  • 第22题：

    杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

    • A、温度
    • B、杂质浓度
    • C、电子空穴对数目
    • D、都不是

    正确答案:B

  • 第23题：

    单选题
    杂质半导体中少数载流子浓度（）
    A

    与掺杂浓度和温度无关

    B

    只与掺杂浓度有关

    C

    只与温度有关

    D

    与掺杂浓度和温度有关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    （）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

    正确答案： 电阻率
    解析： 暂无解析

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