第1题:
以下关于二极管的说法不正确的是()。
第2题:
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
第3题:
二极管具有单向导电性,加正向电压导通,反向电压截止。
第4题:
发光二极管也具有单向导电性,其正向导通电压较高。
第5题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第6题:
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
第7题:
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
第8题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第9题:
二极管具有单向导电性,其正向电阻(),反向电阻()。
第10题:
为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏?
第11题:
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
第12题:
第13题:
锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。
第14题:
二极管具有单向导电性,加正向电压,二极管截止;加反向电压,二极管导通。
第15题:
半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
第16题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第17题:
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第18题:
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
第19题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第20题:
二极管加上正向电压就导通,加上反向电压就截止的现象,称为二极管的()。
第21题:
硅二极管具有单向导电性能。
第22题:
硅二极管的正向电阻()锗二极管的正向电阻。
第23题:
正向电阻很小
具有单向导电性
正向电压越大,流过二极管的电流越大
无论加多大反向电压都不会导通