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2、在下列哪种情形下,再结晶后若在更高温度保温还可能发生异常晶粒长大。A.金属在临界变形量进行冷变形;B.冷变形金属中存在着弥散分布的第二相粒子;C.冷变形前的原始晶粒粗大;D.冷变形金属纯度非常高

题目

2、在下列哪种情形下,再结晶后若在更高温度保温还可能发生异常晶粒长大。

A.金属在临界变形量进行冷变形;

B.冷变形金属中存在着弥散分布的第二相粒子;

C.冷变形前的原始晶粒粗大;

D.冷变形金属纯度非常高


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更多“2、在下列哪种情形下,再结晶后若在更高温度保温还可能发生异常晶粒长大。”相关问题
  • 第1题:

    冷塑性变形的金属再加热,随着加热温度的升高,会出现()的现象。

    • A、回复
    • B、再结晶定
    • C、晶粒长大
    • D、晶粒破碎

    正确答案:B,C

  • 第2题:

    再结晶退火中残余应力显著降低是在()

    • A、回复
    • B、再结晶
    • C、晶粒长大

    正确答案:A

  • 第3题:

    变形温度的升高,则()。

    • A、奥氏体动态再结晶后的晶粒减小
    • B、奥氏体动态再结晶后的晶粒增大
    • C、不影响奥氏体动态再结晶后的晶粒大小

    正确答案:B

  • 第4题:

    加热保温时间越长,温度越高,再结晶后的晶粒大小()。

    • A、越小
    • B、越大
    • C、不变

    正确答案:B

  • 第5题:

    本质晶粒度是钢加热到一定温度,例如930℃正负10℃和保温足够的时间(6h)所具有的奥氏体晶粒大小,它表示刚的奥氏体晶粒在规定温度下长大倾向性。


    正确答案:正确

  • 第6题:

    在制造透明Al2O3陶瓷材料时,原料粉末的粒度为2μm,在烧结温度下保温30分钟,测得晶粒尺寸为10μm。若在同一烧结温度下保温4小时,晶粒尺寸为(),为抑制晶粒生长加入0.1%MgO,此时若保温4小时,晶粒尺寸为()

    • A、16μm;20μm
    • B、20μm;24μm
    • C、24μm;24μm
    • D、28μm;20μm

    正确答案:D

  • 第7题:

    晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同,为什么织构会阻碍晶粒的长大? 


    正确答案:晶粒长大的驱动力为晶界能的降低,再结晶晶核长大的驱动力为储存能的降低。织构组织中各晶粒之间的位相差小,其晶界能相对于正常晶粒组织的晶界能较低,故使其晶界迁移率较低,从而阻碍晶粒的长大。

  • 第8题:

    在奥氏体温度区间升高加热温度或延长保温时间,都将促使奥氏体晶粒长大。


    正确答案:正确

  • 第9题:

    单选题
    在制造透明Al2O3陶瓷材料时,原料粉末的粒度为2μm,在烧结温度下保温30分钟,测得晶粒尺寸为10μm。若在同一烧结温度下保温4小时,晶粒尺寸为(),为抑制晶粒生长加入0.1%MgO,此时若保温4小时,晶粒尺寸为()
    A

    16μm;20μm

    B

    20μm;24μm

    C

    24μm;24μm

    D

    28μm;20μm


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    判断题
    在再结晶过程中,晶粒的尺寸随再结晶温度的升高和时间的延长而长大。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    判断题
    在奥氏体温度区间升高加热温度或延长保温时间,都将促使奥氏体晶粒长大。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同,为什么织构会阻碍晶粒的长大?

    正确答案: 晶粒长大的驱动力为晶界能的降低,再结晶晶核长大的驱动力为储存能的降低。织构组织中各晶粒之间的位相差小,其晶界能相对于正常晶粒组织的晶界能较低,故使其晶界迁移率较低,从而阻碍晶粒的长大。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    本质细晶粒钢是指()。

    • A、任何温度下都具有细小奥氏体晶粒
    • B、在某个规定温度下加热时奥氏体晶粒长大倾向较小
    • C、原材料晶粒较小
    • D、淬火加热时晶粒细小

    正确答案:B

  • 第14题:

    铁素体不绣钢的晶粒在加热中极易长大,加热时温度不可过高,尽量缩短高温下的保温时间。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    铁素体不锈钢的晶粒在加热中易长大,加热时温度不可过高,尽量缩短高温下的保温时间。


    正确答案:正确

  • 第16题:

    晶粒回复过程:回复→晶粒长大→再结晶。


    正确答案:错误

  • 第17题:

    奥氏体形成后,随着加热温度的升高,保温时间的延长,奥氏体晶粒将会长大。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    名词解释:烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。


    正确答案: (1)烧结:粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理,目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
    (2)烧结温度:坯体在高温作用下,发生一系列物理化学反应,最后显气孔率接近于零,达到致密程度最大值时,工艺上称此种状态为"烧结",达到烧结时相应的温度,称为"烧结温度"。
    (3)泰曼温度:固体晶格开始明显流动的温度,一般在固体熔点(绝对温度)的2/3处的温度。在煅烧时,固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移,在晶格内部空间扩散(容积扩散)和再结晶。而在塔曼温度以上,主要为烧结,结晶黏结长大。
    (4)液相烧结:烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
    (5)固相烧结:在固态状态下进行的烧结。
    (6)初次再结晶:初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
    (7)晶粒长大:是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
    (8)二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。

  • 第19题:

    将金属加热到再结晶温度以上时,金属将发生回复、再结晶及晶粒长大等变化。


    正确答案:正确

  • 第20题:

    判断题
    奥氏体形成后,随着加热温度的升高,保温时间的延长,奥氏体晶粒将会长大。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    二次再结晶是指()
    A

    少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

    B

    多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

    C

    晶粒不断成核长大的过程

    D

    少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    说明以下概念的本质区别: 1、一次再结晶和二次在结晶。 2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。

    正确答案: 1、一次再结晶和二次在结晶。
    定义
    一次再结晶:冷变形后的金属加热到一定温度,保温足够时间后,在原来的变形组织中产生了无畸变的新的等轴晶粒,位错密度显著下降,性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平,称为(一次)再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。
    二次再结晶:经过剧烈冷变形的某些金属材料,在较高温度下退火时,会出现反常的晶粒长大现象,即少数晶粒具有特别大的长大能力,逐步吞食掉周围的小晶粒,其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍,比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多,这个过程称为二次再结晶。二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程,它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大,严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程,并非是再结晶过程。
    本质区别:是否有新的形核晶粒。
    2、再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。
    定义
    再结晶晶核长大:是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差,促使晶核界面向畸变区域推进,界面移动的方向,也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心,直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。
    再结晶后的晶粒长大:是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后,当温度继续升高或延长保温时间,晶粒仍然继续长大的过程。此时,晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差,界面移动的方向,也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心,直至晶界变成平面状,达到界面能最低的稳定状态。
    本质区别:
    A.长大驱动力不同
    B.长大方向不同,即晶界的移动方向不同
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    回复和再结晶过程以及再结晶后的晶粒长大是在应变能下降的推动下产生的。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    名词解释:烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。

    正确答案: (1)烧结:粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理,目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。
    (2)烧结温度:坯体在高温作用下,发生一系列物理化学反应,最后显气孔率接近于零,达到致密程度最大值时,工艺上称此种状态为"烧结",达到烧结时相应的温度,称为"烧结温度"。
    (3)泰曼温度:固体晶格开始明显流动的温度,一般在固体熔点(绝对温度)的2/3处的温度。在煅烧时,固体粒子在塔曼温度之前主要是离子或分子沿晶体表面迁移,在晶格内部空间扩散(容积扩散)和再结晶。而在塔曼温度以上,主要为烧结,结晶黏结长大。
    (4)液相烧结:烧结温度高于被烧结体中熔点低的组分从而有液相出现的烧结。
    (5)固相烧结:在固态状态下进行的烧结。
    (6)初次再结晶:初次再结晶是在已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。
    (7)晶粒长大:是指多晶体材料在高温保温过程中系统平均晶粒尺寸逐步上升的现象.
    (8)二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。
    解析: 暂无解析