A、公差
B、偏差
C、尺寸
D、公差和尺寸
第1题:
()可以是正、负或者为零。
A偏差
B偏差、公差
C偏差、基本偏差、实际偏差
D公差
第2题:
【单选题】P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
A.vGS可正、可负、可为零,vDS为负;
B.vGS可正、可负、可为零,vDS为正;
C.vGS为正,vDS可正、可负、可为零;
D.可负、可为零。
第3题:
【单选题】N沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()
A.vGS可正、可负、可为零,vDS为负;
B.vGS可正、可负、可为零,vDS为正;
C.vGS为正,vDS可正、可负、可为零;
D.可负、可为零。
第4题:
当生产函数Q=f(L,K)的平均产量为正且递减时,边际产量可以是()
A.递减且为正
B.递减且为负
C.为零
D.小于零
第5题:
对于基元反应的反应级数,其值为
A.0,1,2,3
B.只能是1,2,3这三个整数
C.可以是整数,也可以是分数
D.可正,可负,可为零