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当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

题目

当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。A、基极B、源极C、发射极D、阻板

3.一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。A、0B、1C、5D、10

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小D、不确定

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  • 第1题：

    当环境温度升高时,二极管的反向电流将()

    A、增大

    B、减小

    C、不变


    参考答案B

  • 第2题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第3题：

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案：B

  • 第4题：

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

    • A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
    • C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第5题：

    当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。

    • A、减小
    • B、不变
    • C、增加
    • D、取决于外加电压值

    正确答案:C

  • 第6题：

    场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    硅稳压二极管的稳定电压U，与温度有关，当温度变化时，U将随着变化。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。


    正确答案:增大；减小

  • 第9题：

    当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。


    正确答案:减小；增大

  • 第10题：

    随着温度的升高，二极管反向电流几乎不变即与温度无关。


    正确答案:错误

  • 第11题：

    单选题
    当二极管反向接法时，反向电流随（）变化较大。
    A

    电压

    B

    温度

    C

    电阻

    D

    电容


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第14题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第15题：

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

    A.原极；

    B.漏极；

    C.栅极；


    参考答案：B

  • 第16题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    当温度升高后，二极管的正向电压减小，反向电流增大。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    当二极管反向接法时，反向电流随（）变化较大。

    • A、电压
    • B、温度
    • C、电阻
    • D、电容

    正确答案:B

  • 第19题：

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。

    • A、原极；
    • B、漏极；
    • C、栅极；

    正确答案:B

  • 第20题：

    场效应管是通过（）改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第21题：

    PN结的反向漏电流（）而急剧增大。

    • A、随着电压的升高
    • B、随着电压的降低
    • C、随着温度的升高
    • D、随着温度的降低

    正确答案:C

  • 第22题：

    填空题
    在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

    正确答案： 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

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