16、关于IGBT,下面()正确。
A.IGBT是复合型器件,输入端是MOSFET,输出端是双极晶体管;
B.IGBT存在电导调制效应;
C.IGBT的开关速度较功率MOSFET快;
D.IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
第1题:
第2题:
变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号,变流器IGBT OK信号丢失持续()ms,报此故障.
第3题:
下面关于数字的用法正确的是()
第4题:
可控硅逆变焊机的逆变频率是(),IGBT逆变焊机的逆变频率是()。
第5题:
RAM中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是()。
第6题:
为防止IGBT的误导通,通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压,例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。
第7题:
IGBT的主体部分与GTR类似,控制部分与场效应管类似,下面属于IGBT具有的优点的有()
第8题:
IGBT
第9题:
IGBT有哪些突出优点?
第10题:
请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。
第11题:
GTO和GTR;
TRIAC和IGBT;
MOSFET和IGBT;
SCR和MOSFET;
第12题:
地址线也是16位
地址线与16无关
地址线与16有关
地址线不得少于16位
第13题:
第14题:
GBT与场管的区别,正确的有()
第15题:
()简称IGBT。
第16题:
IGBT与场管的区别,正确的有()
第17题:
不属于IGBT管特点的是()
第18题:
下面说法中不正确的是()
第19题:
IGBT是指()。
第20题:
某管道的公称压力为1.6MPa,下面的表示正确的是()。
第21题:
请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。
第22题:
对
错
第23题:
第24题: