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外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。

题目

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。

相似考题

1.消毒是指A、用物理或化学方法杀灭除芽胞以外的所有病原体及其他有害微生物B、用物理或化学方法杀灭包括芽胞在内的所有病原体及其他有害微生物C、用物理方法清除污染物表面的有机物和污迹、尘埃D、用物理或化学方法清除或杀灭全部活的微生物E、用物理和化学方法清除要进入无菌组织的器材表面的污物

2.用物理或化学方法防止和抑制微生物生长繁殖的操作属于A.化学灭菌B.物理灭菌法C.消毒D.防腐E.除菌

3.利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?

4.哪项是灭菌的定义( )A.用物理或化学的方法杀灭细菌的繁殖体B.用物理或化学的方法杀灭全部致病菌C.用物理或化学的方法杀灭全部微生物包括致病菌和非致病的芽胞D.用物理或化学的方法杀灭全部微生物包括致病菌和非致病菌

参考答案和解析
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  • 第1题：

    LED地材料制备包括什么?()

    A.外延片地制备

    B.衬底材料地制备

    C.外延片地生长

    D.衬底材料地生长


    正确答案：BC

  • 第2题：

    用物理或化学方法防止和抑制微生物生长繁殖的操作

    A.化学灭菌

    B.物理灭菌法

    C.消毒

    D.防腐

    E.除菌


    参考答案：D

  • 第3题：

    燃烧前脱硫就是在燃料燃烧前，用物理方法、化学方法或生物方法把燃料中所含有的硫部分去除，将燃料净化。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。


    正确答案:化学气相；液相；分子束

  • 第5题：

    LED的材料制备包括什么（）。

    • A、外延片的制备
    • B、衬底材料的制备
    • C、外延片的生长
    • D、衬底材料的生长

    正确答案:B,C

  • 第6题：

    回收氨合成弛放气的方法有是（）。

    • A、物理吸收
    • B、化学吸收
    • C、物理化学吸收
    • D、薄膜渗透

    正确答案:D

  • 第7题：

    哪项是灭菌的定义（）

    • A、用物理或化学的方法杀灭细菌的繁殖体
    • B、用物理或化学的方法杀灭全部致病菌
    • C、用物理或化学的方法杀灭全部微生物包括致病菌和非致病的芽胞
    • D、用物理或化学的方法杀灭全部微生物包括致病菌和非致病菌

    正确答案:C

  • 第8题：

    用物理或化学方法杀死物品上全部微生物的过程称（）


    正确答案:灭菌

  • 第9题：

    填空题
    在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

    正确答案： 相同,同质外延,异质外延
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

    正确答案： 从硅气相外延工艺原理可知，硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子，他迁移到达结点位置停留，之后被后续的Si原子覆盖，该Si原子成为外延层中原子。因此衬底表面“结点位置”的存在是外延过程顺利进行的关键，如果外延衬底不是准确的（100）或（111）晶面，而是偏离一个小角度，这在其表面就会有大量结点位置，所以，硅气相外延工艺采用的衬底通常偏离准确的晶向一个小角度。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。

    正确答案： Si,Ge,GaAs,InP,（100）,（111）,SiO2,Si3N4,Al,Cu
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    灭菌是指( )

    A．用物理或化学方法去除或杀灭全部微生物的过程

    B．用物理或化学方法清除或杀灭除芽孢以外的所有病原微生物

    C．用物理方法清除物体表面的污垢、尘埃和有机物

    D．用物理或化学方法清除物体表面的污垢、尘埃和有机物

    E．用化学方法去除或杀灭全部微生物


    正确答案：A

  • 第14题：

    外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。


    正确答案:化学气相；液相；原子束外延

  • 第15题：

    硅外延生长工艺包括（）。

    • A、衬底制备
    • B、原位HCl腐蚀
    • C、生长温度，生长压力，生长速度
    • D、尾气的处理

    正确答案:A,B,C,D

  • 第16题：

    外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。


    正确答案:不够；质量差

  • 第17题：

    用物理或化学方法防止和抑制微生物生长繁殖的操作称为（）

    • A、灭菌
    • B、消毒
    • C、防腐
    • D、防虫
    • E、除菌

    正确答案:C

  • 第18题：

    简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？


    正确答案: 生长过程：①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面；②吸附：反应物吸附在Si表面；③化学反应：在Si表面进行化学反应，得到Si及副产物；④脱吸：副产物脱离吸附；⑤逸出：脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室；⑥加接：生成的Si原子加接到晶格点阵上，延续衬底晶向
    生长特征：横向二维的层层长。晶面的构造可用三个密切联系的特征表示：平台、扭转、台阶
    如果吸附原子A保持不动，其他硅原子可以被吸附过来，形成硅串或硅岛。大量的硅串在合并时，必定会产生严重的缺陷或形成多晶薄膜。
    如果吸附原子具有比较高的能量，那么这个原子更倾向于沿着表面迁移，如果迁移到一个台阶边缘的位置，如图B位置，由于Si-Si键的相互作用，位置B比位置A更稳定，吸附原子就有很大的可能性保持在此位置。吸附原子最稳定的位置是所谓的扭转位置，如图中的位置C。当吸附原子到达一个扭转位置时，形成了一半的Si-Si键，进一步的迁移就不太可能发生了。在继续生长过程中，更多的吸附原子必定会迁移到扭转位置，从而加入到生长的薄膜中。

  • 第19题：

    用物理或化学方法杀死物品上大部分微生物的过程称（）


    正确答案:灭菌

  • 第20题：

    判断题
    外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    异质外延对衬底和外延层有什么要求？

    正确答案： 对于B/A型的异质外延，在衬底A上能否外延生长B，外延层B晶格能否完好，受衬底A与外延层B的兼容性影响。衬底与外延层的兼容性主要表现在三个方面：
    其一，衬底A与外延层B两种材料在外延温度不发生化学反应，不发生大剂量的互溶现象。即A和B的化学特性兼容；
    其二，衬底A与外延层B的热力学参数相匹配，这是指两种材料的热膨胀系数接近，以避免生长的外延层由生长温度冷却至室温时，因热膨胀产生残余应力，在B/A界面出现大量位错。当A、B两种材料的热力学参数不匹配时，甚至会发生外延层龟裂现象。
    其三，衬底与外延层的晶格参数相匹配，这是指两种材料的晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格结构及参数的不匹配引起B/A界面附近晶格缺陷多和应力大的现象。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    用物理或化学方法杀死物品上全部微生物的过程称（）

    正确答案： 灭菌
    解析： 暂无解析

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